[發(fā)明專利]一種鎖相環(huán)中的單粒子輻射加固電荷泵電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610914839.5 | 申請(qǐng)日: | 2016-10-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106655758B | 公開(公告)日: | 2019-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周前能;朱令;李紅娟;譚金益;林金朝;龐宇;李國權(quán);王偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 重慶郵電大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H02M3/07 | 分類號(hào): | H02M3/07 |
| 代理公司: | 重慶市恒信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 50102 | 代理人: | 劉小紅 |
| 地址: | 400065 重*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 環(huán)中 粒子 輻射 加固 電荷 電路 | ||
本發(fā)明請(qǐng)求保護(hù)一種鎖相環(huán)中的單粒子輻射加固電荷泵電路,包括基本電荷泵電路,其還包括輻射加固電路以及偏置電路,所述基本電荷泵電路的信號(hào)輸出端電連接所述輻射加固電路的信號(hào)輸入端,所述輻射加固電路的信號(hào)輸出端電連接所述基本電荷泵電路的單粒子輻射敏感結(jié)點(diǎn)端,所述偏置電路的輸出端電連接所述輻射加固電路的電壓輸入端;所述輻射加固電路用于對(duì)基本電荷泵電路的相應(yīng)結(jié)點(diǎn)受到高能單粒子轟擊時(shí)產(chǎn)生補(bǔ)償電流以補(bǔ)償單粒子瞬態(tài)脈沖電流;所述偏置電路用于為所述輻射加固電路提供偏置,使得所述輻射加固電路中的輻射補(bǔ)償電流管在基本電荷泵電路的相應(yīng)結(jié)點(diǎn)未受到單粒子瞬態(tài)轟擊時(shí)不工作。本電路提高鎖相環(huán)的抗單粒子輻射能力。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種鎖相環(huán)中的單粒子輻射加固的電荷泵電路。
背景技術(shù)
隨著現(xiàn)代航天應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展與武器功能的多樣化,系統(tǒng)內(nèi)部的處理器計(jì)算量增大,隨之越來越多的集成電路芯片將工作在輻射環(huán)境中。對(duì)于在輻射環(huán)境下工作的集成電路芯片,主要考慮單粒子效應(yīng)和總劑量效應(yīng)兩種。隨著集成電路工藝發(fā)展,總劑量效應(yīng)對(duì)集成電路芯片的影響在減弱,相反單粒子效應(yīng)對(duì)集成電路芯片的影響越來越大。相對(duì)于數(shù)字集成電路,模擬集成電路及數(shù)模混合集成電路對(duì)單粒子效應(yīng)更敏感,在先進(jìn)集成電路工藝中日趨嚴(yán)峻且加固設(shè)計(jì)更加困難。因此,模擬集成電路及數(shù)?;旌霞呻娐返膯瘟W虞椛浼庸萄芯恳殉裳芯恐攸c(diǎn)及難點(diǎn)。
鎖相環(huán)電路作為產(chǎn)生時(shí)鐘基準(zhǔn)的重要部件,已廣泛應(yīng)用于商用和航空航天領(lǐng)域的集成電路芯片中,其通用結(jié)構(gòu)如圖1所示。工作原理為:鑒頻鑒相器檢測(cè)輸入?yún)⒖夹盘?hào)Vref與分頻器分頻后的反饋信號(hào)Vfb的相位或頻率,并根據(jù)相位差或頻率差產(chǎn)生電荷泵充放電控制信號(hào)和電荷泵在和的控制下對(duì)低通濾波器進(jìn)行充電或放電,從而改變低通濾波器的輸出電壓(即電荷泵的輸出端電壓Vctrl),也就是調(diào)整壓控振蕩器的控制電壓Vctrl,進(jìn)而不斷地調(diào)整壓控振蕩器的輸出頻率以減小輸入?yún)⒖夹盘?hào)Vref與反饋信號(hào)Vfb之間的相位差,這個(gè)反饋過程不斷的重復(fù)直到最終使輸入?yún)⒖夹盘?hào)與反饋信號(hào)的相位對(duì)齊,即鎖相環(huán)鎖定。
電荷泵對(duì)整個(gè)鎖相環(huán)的性能起決定作用,圖2為基本差分型電荷泵。當(dāng)PMOS管M6和NMOS管M4導(dǎo)通時(shí),PMOS管M5和NMOS管M3關(guān)斷,結(jié)點(diǎn)C與結(jié)點(diǎn)Y電壓相等;當(dāng)PMOS管M6和NMOS管M4關(guān)斷時(shí),PMOS管M5和NMOS管M3導(dǎo)通,結(jié)點(diǎn)C與結(jié)點(diǎn)Y電壓相等,這樣結(jié)點(diǎn)C在NMOS管M4以及PMOS管M6導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)沒有電壓變化,即電荷泵輸出端Vctrl-old在NMOS管M4以及PMOS管M6導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)沒有電壓變化,從而避免了電荷共享效應(yīng)。但是,電荷泵在單粒子瞬態(tài)效應(yīng)中會(huì)產(chǎn)生大量的電荷對(duì)低通濾波器中的電容進(jìn)行充放電,導(dǎo)致壓控振蕩器的控制電壓嚴(yán)重偏離鎖定值,超出最大或最小控制電壓,從而導(dǎo)致鎖相環(huán)的輸出時(shí)鐘長(zhǎng)時(shí)間處于混亂狀態(tài),嚴(yán)重影響到電子系統(tǒng)的正常工作。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在解決以上現(xiàn)有技術(shù)的問題。提出了一種有效地改善鎖相環(huán)電路整體輸出抖動(dòng)特性,從而提高鎖相環(huán)的抗單粒子輻射能力的鎖相環(huán)中的單粒子輻射加固電荷泵電路。本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
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