[發(fā)明專利]一種鎖相環(huán)中的單粒子輻射加固電荷泵電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610914839.5
• 申請日: 2016-10-20
• 公開（公告）號: CN106655758B
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周前能;朱令;李紅娟;譚金益;林金朝;龐宇;李國權(quán);王偉
• 申請（專利權(quán)）人: 重慶郵電大學
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07
• 代理公司: 重慶市恒信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 50102
• 代理人: 劉小紅

1.一種鎖相環(huán)中的單粒子輻射加固電荷泵電路，包括基本電荷泵電路(1)，其特征在于，還包括輻射加固電路(2)以及偏置電路(3)，所述基本電荷泵電路(1)的信號輸出端電連接所述輻射加固電路(2)的信號輸入端，所述輻射加固電路(2)的信號輸出端電連接所述基本電荷泵電路(1)的單粒子輻射敏感結(jié)點端，所述偏置電路(3)的輸出端電連接所述輻射加固電路(2)的電壓輸入端；當基本電荷泵電路(1)中結(jié)點A-結(jié)點E之一受到高能單粒子轟擊產(chǎn)生單粒子瞬態(tài)脈沖電流時，輻射加固電路(2)中對應(yīng)的輻射補償電流管工作并產(chǎn)生補償電流以補償對應(yīng)結(jié)點A-結(jié)點E的單粒子瞬態(tài)脈沖電流；結(jié)點A對應(yīng)輻射補償電流管MC1、結(jié)點B對應(yīng)輻射補償電流管MC2、結(jié)點C對應(yīng)輻射補償電流管MC3及MC8、結(jié)點D對應(yīng)輻射補償電流管MC7、結(jié)點E對應(yīng)輻射補償電流管MC6，所述偏置電路(3)用于為所述輻射加固電路(2)提供偏置，使得所述輻射加固電路(2)中的輻射補償電流管在基本電荷泵電路(1)的相應(yīng)結(jié)點未受到單粒子瞬態(tài)轟擊時不工作；

所述輻射加固電路(2)包括：PMOS管MC1、PMOS管MC2、PMOS管MC3、NMOS管MC4、NMOS管MC5、NMOS管MC6、NMOS管MC7、NMOS管MC8、PMOS管MC9、PMOS管MC10、電阻R1以及誤差放大器A2，在所述輻射加固電路(2)中PMOS管MC1的漏極分別與PMOS管MC2的漏極、PMOS管MC3的漏極、NMOS管MC4的漏極、NMOS管MC4的柵極以及NMOS管MC5的柵極相連，NMOS管MC4的源極與NMOS管MC5的源極以及外部地線GND相連，PMOS管MC9的源極與PMOS管MC10的源極以及外部電源VDD相連，PMOS管MC9的漏極與電阻R1的另一端、誤差放大器A2的同向輸入端、輸出端Vctrl以及NMOS管MC5的漏極相連，PMOS管MC10的柵極與PMOS管MC9的柵極、PMOS管MC10的漏極、NMOS管MC8的漏極、NMOS管MC7的漏極以及NMOS管MC6的漏極相連，NMOS管MC8的柵極分別與PMOS管MC3的柵極、誤差放大器A2的反向輸入端、誤差放大器A2的輸出端、PMOS管M12的漏極以及NMOS管M11的漏極相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述鎖相環(huán)中的單粒子輻射加固電荷泵電路，其特征在于，所述基本電荷泵電路(1)包括：NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS 管M4、誤差放大器A1、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7以及PMOS管M8，其中，在所述基本電荷泵電路(1)中PMOS管M8的源極與外部電源VDD相連，PMOS管M8的柵極與PMOS管M14的柵極以及外部偏置Vbp1相連，PMOS管M8的漏極與PMOS管M7的源極以及PMOS管MC1的源極相連，PMOS管M7的柵極與PMOS管M13的柵極以及外部偏置Vbp2相連，PMOS管M7的漏極分別與PMOS管M5的源極、PMOS管M6的源極以及PMOS管MC2的源極相連，PMOS管M5的柵極與輸入端相連，PMOS管M5的漏極分別與誤差放大器A1的輸出端、誤差放大器A1的反向輸入端以及NMOS管M3的漏極相連，NMOS管M3的柵極與輸入端相連，PMOS管M6的柵極與輸入端UP相連，PMOS管M6的漏極分別與誤差放大器A1的同向輸入端、NMOS管M4的漏極、NMOS管MC8的源極、PMOS管MC3的源極以及電阻R1的一端相連，NMOS管M4的柵極與輸入端DN相連，NMOS管M4的源極與NMOS管M3的源極、NMOS管MC7的源極以及NMOS管M2的漏極相連，NMOS管M2的柵極與NMOS管M10的柵極以及外部偏置Vbn2相連，NMOS管M2的源極與NMOS管MC6的源極以及NMOS管M1的漏極相連，NMOS管M1的柵極與NMOS管M9的柵極以及外部偏置Vbn1相連，NMOS管M1的源極與外部地線GND相連。