[發(fā)明專利]蝕刻方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610913373.7
• 申請(qǐng)日: 2016-10-20
• 公開（公告）號(hào): CN107968045B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮立偉;王嫈喬;林裕杰;蔡綜穎;何建廷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種蝕刻方法，包括：

提供一基底，該基底上定義有一第一區(qū)以及與該第一區(qū)相鄰的一第二區(qū)；

于該基底上形成一材料層；

于該材料層上形成一圖案化掩模，其中該圖案化掩模包括：

第一部，覆蓋位于該第一區(qū)的該材料層；以及

第二部，對(duì)應(yīng)該第二區(qū)，其中該第二部包括一格狀結(jié)構(gòu)，該格狀結(jié)構(gòu)包括：

多個(gè)開口，其中各該開口暴露出的位于該第二區(qū)的該材料層；以及

多個(gè)遮蔽部，其中各該遮蔽部位于相鄰的該多個(gè)開口之間，且各該遮蔽部覆蓋的位于該第二區(qū)的該材料層，其中該基底還包括多個(gè)導(dǎo)線位于該第二區(qū)中，該材料層共形地形成于該多個(gè)導(dǎo)線上，且該材料層部分位于該多個(gè)導(dǎo)線之間，各該開口于一垂直方向上對(duì)應(yīng)至少一條該導(dǎo)線的一部分，且各該遮蔽部覆蓋至少的位于兩相鄰的該多個(gè)導(dǎo)線之間的該材料層；以及

進(jìn)行一等向性蝕刻，用以移除被該多個(gè)開口所暴露的該材料層以及被該多個(gè)遮蔽部所覆蓋的該材料層。

2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中被該多個(gè)遮蔽部所覆蓋的該材料層通過該等向性蝕刻的側(cè)向蝕刻而被完全移除。

3.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中各該開口沿一第一方向延伸，且該多個(gè)開口沿一第二方向排列。

4.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中該多個(gè)開口沿一第一方向以及一第二方向排列而形成一陣列型態(tài)。

5.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中各該開口于該垂直方向上對(duì)應(yīng)多條該多個(gè)導(dǎo)線的一部分。

6.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中各該遮蔽部覆蓋多條該多個(gè)導(dǎo)線以及所覆蓋的該多個(gè)導(dǎo)線之間的該材料層。

7.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中各該導(dǎo)線沿一第一方向延伸，且該多個(gè)導(dǎo)線沿一第二方向排列。

8.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中各該導(dǎo)線包括一位線。

9.如權(quán)利要求8所述的蝕刻方法，其中該第二區(qū)包括一存儲(chǔ)單元區(qū)，且該第一區(qū)包括一周圍線路區(qū)。

10.如權(quán)利要求9所述的蝕刻方法，其中該基底還包括多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)位于該第一區(qū)中，且該材料層包括一間隙子材料層共形地形成于該多個(gè)導(dǎo)線與該多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)上。