[發(fā)明專利]一種基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的混合光互連系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610912164.0
• 申請(qǐng)日: 2016-10-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106653934A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 毛陸虹;叢佳;謝生;肖謐;郭維廉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/173
• 分類號(hào): H01L31/173
• 代理公司: 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所12201
• 代理人: 杜文茹

1.一種基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的混合光互連系統(tǒng)，包括基底(1)，其特征在于，所述基底(1)的上表面上設(shè)置有二氧化硅體(6)，所述二氧化硅體(6)內(nèi)位于上部設(shè)置有用于反射光的金屬層(5)，所述二氧化硅體(6)內(nèi)且在基底(1)的上表面上由下至上依次設(shè)置有起隔離作用的柵氧層(3)和用于發(fā)光的多晶硅LED(4)，所述的基底(1)內(nèi)臨近上表面且位于柵氧層(3)和多晶硅LED(4)的一側(cè)設(shè)置有用于接收從所述金屬層(5)所反射的光的單晶硅PD(2)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的混合光互連系統(tǒng)，其特征在于，所述的多晶硅LED(4)包括有依次并排設(shè)置在所述柵氧層(3)上的多晶硅LED陰極(41)、多晶硅LED i區(qū)(42)和多晶硅LED陽(yáng)極(43)，所述多晶硅LED陰極(41)通過(guò)貫穿所述金屬層(5)的多晶硅LED陰極接觸孔(46)連接多晶硅LED陰極外接導(dǎo)線(44)，所述多晶硅LED陽(yáng)極(43)通過(guò)貫穿所述金屬層(5)的多晶硅LED陽(yáng)極接觸孔(47)連接多晶硅LED陽(yáng)極外接導(dǎo)線(45)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的混合光互連系統(tǒng)，其特征在于，所述的單晶硅PD(2)包括有N阱(21)和分別嵌入在所述N阱(21)內(nèi)的單晶硅PD陰極(22)和單晶硅PD陽(yáng)極(23)，所述單晶硅PD陰極(22)通過(guò)貫穿所述金屬層(5)的單晶硅PD陰極接觸孔(26)連接單晶硅PD陰極外接導(dǎo)線(24)，所述單晶硅PD陽(yáng)極(23)通過(guò)貫穿所述金屬層(5)的單晶硅PD陽(yáng)極接觸孔(27)連接單晶硅PD陽(yáng)極外接導(dǎo)線(25)。