[發明專利]具有納米材料的導電箔及其制作方法，及電容器封裝結構

在審

• 申請號: 201610911297.6
• 申請日: 2016-10-19
• 公開（公告）號: CN107967992A
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 錢明谷;梁名琮
• 申請（專利權）人: 鈺邦電子(無錫)有限公司
• 主分類號: H01G4/008
• 分類號: H01G4/008;H01G4/32;B82Y30/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 梁麗超,宋曉云

1.一種具有納米材料的導電箔，其特征在于，所述具有納米材料的導電箔包括：

一金屬基層結構；以及

一復合式納米材料結構，所述復合式納米材料結構設置在所述金屬基層結構上；

其中，所述復合式納米材料結構由一石墨材料所制成，所述石墨材料的其中一部分通過一種導入還原氣體的氧化還原法以轉化成一石墨烯層，所述石墨材料的其余部分形成一設置在所述金屬基層結構與所述石墨烯層之間的石墨層，且所述復合式納米材料結構由所述石墨層以及所述石墨烯層所構成。

2.根據權利要求1所述的具有納米材料的導電箔，其特征在于，所述金屬基層結構包括一金屬基層以及一完全包覆所述金屬基層的氧化層，所述復合式納米材料結構的所述石墨層設置在所述金屬基層結構的所述氧化層上，且包含有所述金屬基層結構與所述復合式納米材料結構的所述導電箔能做為一卷繞型電容器的一正箔使用。

3.根據權利要求1所述的具有納米材料的導電箔，其特征在于，所述金屬基層結構為一表面無氧化層的金屬基層，所述復合式納米材料結構的所述石墨層設置在所述金屬基層結構的所述金屬基層上，且包含有所述金屬基層結構與所述復合式納米材料結構的所述導電箔能做為一卷繞型電容器的一負箔使用。

4.根據權利要求1所述的具有納米材料的導電箔，其特征在于，所述金屬基層結構包括一金屬基層、一完全包覆所述金屬基層的氧化層以及一設置在所述氧化層上的介金屬化合物層，所述復合式納米材料結構的所述石墨層設置在所述金屬基層結構的所述介金屬化合物層上，且包含有所述金屬基層結構與所述復合式納米材料結構的所述導電箔能做為一卷繞型電容器的一正箔使用。

5.根據權利要求1所述的具有納米材料的導電箔，其特征在于，所述金屬基層結構包括一表面無氧化層的金屬基層以及一設置在所述金屬基層結構上的介金屬化合物層，所述復合式納米材料結構的所述石墨層設置在所述金屬基層結構的所述介金屬化合物層上，且包含有所述金屬基層結構與所述復合式納米材料結構的所述導電箔能做為一卷繞型電容器的一負箔使用。

6.一種具有納米材料的導電箔的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括下列步驟：

提供一金屬基層結構；

形成一石墨材料于所述金屬基層結構上；以及

所述石墨材料的其中一部分通過一種導入還原氣體的氧化還原法以轉化成一石墨烯層，所述石墨材料的其余部分形成一設置在所述金屬基層結構與所述石墨烯層之間的石墨層，其中，所述石墨層以及所述石墨烯層構成一設置在所述金屬基層結構上的復合式納米材料結構。

7.一種卷繞型電容器封裝結構，其特征在于，所述卷繞型電容器封裝結構包括：

一卷繞型電容器，所述卷繞型電容器包括：至少兩個導電箔以及兩個隔離紙，每一個所述導電箔包括一金屬基層結構以及一設置在所述金屬基層結構上的復合式納米材料結構，且兩個所述隔離紙的其中之一設置于至少兩個所述導電箔之間；

一封裝體，所述封裝體包覆整個所述卷繞型電容器；以及

至少兩個導電引腳，至少兩個所述導電引腳分別電性連接于至少兩個導電箔，其中，每一個所述導電引腳具有一電性連接于相對應的所述導電箔且被所述封裝體所包覆的內埋部以及一連接于所述內埋部且裸露在所述封裝體的外部的外露部；

其中，所述復合式納米材料結構由一石墨材料所制成，所述石墨材料的其中一部分通過一種導入還原氣體的氧化還原法以轉化成一石墨烯層，所述石墨材料的其余部分形成一設置在所述金屬基層結構與所述石墨烯層之間的石墨層，且所述復合式納米材料結構由所述石墨層以及所述石墨烯層所構成。

8.根據權利要求7所述的卷繞型電容器封裝結構，其特征在于，所述金屬基層結構包括一金屬基層以及一完全包覆所述金屬基層的氧化層，所述復合式納米材料結構的所述石墨層設置在所述金屬基層結構的所述氧化層上，且包含有所述金屬基層結構與所述復合式納米材料結構的所述導電箔能做為一卷繞型電容器的一正箔使用。

9.根據權利要求7所述的卷繞型電容器封裝結構，其特征在于，所述金屬基層結構為一表面無氧化層的金屬基層，所述復合式納米材料結構的所述石墨層設置在所述金屬基層結構的所述金屬基層上，且包含有所述金屬基層結構與所述復合式納米材料結構的所述導電箔能做為一卷繞型電容器的一負箔使用。