[發明專利]具有納米材料的導電箔及其制作方法，及電容器封裝結構

在審

• 申請號: 201610911297.6
• 申請日: 2016-10-19
• 公開（公告）號: CN107967992A
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 錢明谷;梁名琮
• 申請（專利權）人: 鈺邦電子(無錫)有限公司
• 主分類號: H01G4/008
• 分類號: H01G4/008;H01G4/32;B82Y30/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 梁麗超,宋曉云

技術領域

本發明涉及一種導電箔及其制作方法，以及一種電容器封裝結構，特別是涉及一種具有納米材料的導電箔及其制作方法，以及一種使用具有納米材料的導電箔的卷繞型電容器封裝結構。

背景技術

電容器已廣泛被使用于消費性家電用品、計算機主板、電源供應器、通訊產品以及汽車等的基本組件，其主要的作用包括濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉相等等，是電子產品中不可缺少的組件之一。電容器依照不同的材質以及用途，有不同的形態，包括有鋁質電解電容、鉭質電解電容、積層陶瓷電容、卷繞型或堆疊型固態電解電容器以及薄膜電容等等。現有技術中，卷繞型固態電解電容器包括有電容器組件、收容構件以及封口構件。電容器組件隔著絕緣件將一連接陽極端子的陽極箔與一連接陰極端子的陰極箔進行卷繞。收容構件具有開口部且可收容電容器組件。封口構件具有一可供陽極端子及陰極端子貫穿的貫穿孔以及一可密封收容構件的封口部。然而，為了降低陽極箔與陰極箔的阻抗并提升現有的卷繞型固態電解電容器的電氣性能，卷繞型固態電解電容器的陽極箔與陰極箔還具有改善空間。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，針對現有技術的不足提供一種具有納米材料的導電箔及其制作方法，以及一種使用具有納米材料的導電箔的卷繞型電容器封裝結構。

為了解決上述的技術問題，本發明所采用的其中一技術方案是，提供一種具有納米材料的導電箔，其包括：一金屬基層結構以及一復合式納米材料結構。所述復合式納米材料結構設置在所述金屬基層結構上。其中，所述復合式納米材料結構由一石墨材料所制成，所述石墨材料的其中一部分通過一種導入還原氣體的氧化還原法以轉化成一石墨烯層，所述石墨材料的其余部分形成一設置在所述金屬基層結構與所述石墨烯層之間的石墨層，且所述復合式納米材料結構由所述石墨層以及所述石墨烯層所構成。

更進一步地，所述金屬基層結構包括一金屬基層以及一完全包覆所述金屬基層的氧化層，所述復合式納米材料結構的所述石墨層設置在所述金屬基層結構的所述氧化層上，且包含有所述金屬基層結構與所述復合式納米材料結構的所述導電箔能做為一卷繞型電容器的一正箔使用。

更進一步地，所述金屬基層結構為一表面無氧化層的金屬基層，所述復合式納米材料結構的所述石墨層設置在所述金屬基層結構的所述金屬基層上，且包含有所述金屬基層結構與所述復合式納米材料結構的所述導電箔能做為一卷繞型電容器的一負箔使用。

更進一步地，所述金屬基層結構包括一金屬基層、一完全包覆所述金屬基層的氧化層以及一設置在所述氧化層上的介金屬化合物層，所述復合式納米材料結構的所述石墨層設置在所述金屬基層結構的所述介金屬化合物層上，且包含有所述金屬基層結構與所述復合式納米材料結構的所述導電箔能做為一卷繞型電容器的一正箔使用。

更進一步地，所述金屬基層結構包括一表面無氧化層的金屬基層以及一設置在所述金屬基層結構上的介金屬化合物層，所述復合式納米材料結構的所述石墨層設置在所述金屬基層結構的所述介金屬化合物層上，且包含有所述金屬基層結構與所述復合式納米材料結構的所述導電箔能做為一卷繞型電容器的一負箔使用。

為了解決上述的技術問題，本發明所采用的另外一技術方案是，提供一種具有納米材料的導電箔的制作方法，其包括下列步驟：首先，提供一金屬基層結構；接著，形成一石墨材料于所述金屬基層結構上；然后，形成一復合式納米材料結構于所述金屬基層結構上。其中，所述復合式納米材料結構由一石墨材料所制成，所述石墨材料的其中一部分通過一種導入還原氣體的氧化還原法以轉化成一石墨烯層，所述石墨材料的其余部分形成一設置在所述金屬基層結構與所述石墨烯層之間的石墨層，且所述復合式納米材料結構由所述石墨層以及所述石墨烯層所構成。