[發明專利]制造金屬通道元件的方法在審
| 申請號： | 201610910128.0 | 申請日： | 2016-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN107591332A | 公開（公告）日： | 2018-01-16 |
| 發明（設計）人： | 陳敏璋;劉繼文;鄭柏賢 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司;陳敏璋 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 金屬 通道 元件 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制造金屬通道元件的方法，其特征在于，包含：
形成一金屬層于一基材上，該金屬層透過一原子層沉積技術而形成且具有一第一厚度；
形成一絕緣層于該金屬層上；
形成一柵極接觸層于該絕緣層上；
處理已形成的該柵極接觸層、該絕緣層與該金屬層以移除該柵極接觸層、該絕緣層與該金屬層不位于一源極-漏極區上的一部分，該金屬層位于該源極-漏極區上的一剩余部分具有一第二厚度，該第二厚度小于該第一厚度；以及
形成多個源極與漏極金屬接觸于該金屬層的該剩余部分。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
