[發明專利]ESD保護方法和ESD保護電路有效
| 申請號: | 201610908014.2 | 申請日: | 2013-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN107424988B | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發明(設計)人: | M.什里瓦斯塔瓦;C.拉斯;H.戈斯納 | 申請(專利權)人: | 英特爾移動通信有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 秦琳;姜甜 |
| 地址: | 德國諾*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | esd 保護 方法 電路 | ||
一些實施例涉及靜電放電(ESD)保護設備,用于保護電路免受ESD事件。ESD保護電流包括第一和第二觸發元件。在檢測到ESD脈沖時,第一觸發元件提供具有第一脈沖長度的第一觸發信號。第二觸發元件在檢測到ESD脈沖時提供具有第二脈沖長度的第二觸發信號。第二脈沖長度不同于第一脈沖長度。主分路器基于第一觸發信號對遠離易受ESD影響的電路的ESD脈沖的功率進行分路。電流控制元件基于第二觸發信號選擇性地將由ESD脈沖引起的電流泵浦到主泵浦的襯底中。
本申請是下述申請的分案申請:
發明名稱:用于使用高壓設備來增強低壓ESD箝位的選擇性電流泵浦,
申請日:2013年3月26日,
申請號:201310099133.4。
背景技術
靜電放電(ESD)脈沖是突然的且非預期的電壓和/或電流放電,其將能量從外側體部(舉例來說,比如從人類身體)轉移到電子設備。ESD脈沖可損壞電子設備,例如通過在高壓的情況下“熄滅”晶體管的柵氧化層或通過在高電流的情況下“熔化”設備的有效區面積,引起接點故障。
如將在以下將更詳細理解的,本公開涉及改進的ESD保護技術。
附圖說明
圖1示出了經受一些缺點的ESD保護設備。
圖2示出了包括電流控制元件的ESD保護設備的示例實施例。
圖3示出了具有被實現為分流器的電流控制元件的ESD保護設備的示例實施例。
圖4示出了具有被實現為電流開關元件的電流控制元件的ESD保護設備的示例實施例。
圖5A-5C示出了包括電流開關元件的ESD保護電路的示例實施例,由于其防范具有大約150納秒的脈沖長度的ESD脈沖。
圖6A-6C示出了包括分流器的ESD保護電路的示例實施例,由于其防范具有大約150納秒的脈沖長度的ESD脈沖。
圖7示出了包括用于促進襯底泵浦的附加電容器的ESD保護電路的示例實施例。
圖8示出了包括電壓加法器的ESD保護設備的示例實施例。
圖9示出了根據一些實施例的以流程圖格式的方法。
圖10示出了包括單個觸發元件的ESD保護設備的示例實施例。
具體實施方式
現在將參考附圖來描述本發明,其中相同的參考數字用于始終指代相同的元件,并且其中所說明的結構和設備不必須是按比例繪制的。
圖1示出了使用不夠理想的ESD保護技術的電路100。電路100包括易受ESD影響的電路102和ESD保護電路104,兩者都電耦合到第一和第二電路節點106A、106B(例如,分別為集成電路的DC電源電壓引腳和接地引腳)。ESD保護電路104包括第一和第二電路徑108、110,其在第一和第二電路節點106A、106B之間平行延伸。第一電路徑108包括布置在其上的觸發元件111,并且第二電路徑110包括分路器112。襯底泵浦114被布置成對分路器112的襯底進行泵浦,以增強在ESD事件期間其的增益。
在操作期間,觸發元件116檢測指示ESD脈沖124的電壓和/或電流尖峰,并由此增加其輸出118處的觸發信號的電壓。該增加的電壓使分路器112和襯底泵浦114進入導電狀態。襯底泵浦114因此將ESD脈沖123的一些電流經由路徑120轉向到分路器112的襯底,這有助于增加分路器112的增益。由于高壓觸發信號,分路器112現在表示低阻抗(相對于易受ESD影響的電路102)且ESD脈沖124的功率流過分路器112且遠離易受ESD影響的電路102,如箭頭122所示。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





