[發明專利]ESD保護方法和ESD保護電路有效
| 申請號: | 201610908014.2 | 申請日: | 2013-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN107424988B | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發明(設計)人: | M.什里瓦斯塔瓦;C.拉斯;H.戈斯納 | 申請(專利權)人: | 英特爾移動通信有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 秦琳;姜甜 |
| 地址: | 德國諾*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | esd 保護 方法 電路 | ||
1.一種ESD保護電路,包括:
第一觸發元件,被配置為在檢測到ESD脈沖時,提供第一觸發信號;
第二觸發元件,被配置為在檢測到所述ESD脈沖時,提供第二觸發信號;
主分路元件,被配置為基于所述第一觸發信號來分路所述ESD脈沖的功率;和
電流控制元件,被配置為基于所述第二觸發信號來選擇性地當作所述主分路元件的襯底泵浦以將由所述ESD脈沖引起的電流泵浦到所述主分路元件的襯底中并且基于所述第二觸發信號來選擇性地當作與所述主分路元件并聯的次分路元件。
2.根據權利要求1的ESD保護電路,其中所述電流控制元件包括電流開關,所述電流開關被配置為在第一位置和第二位置之間切換,其中所述電流開關被設置到第一位置以當所述第二觸發信號被取消斷言時選擇性地將由所述ESD脈沖引起的電流泵浦到所述主分路元件的所述襯底中,并且被設置到第二位置以當所述第二觸發信號被斷言時選擇性地分路電流,其中當不存在ESD脈沖時,將所述電流開關設置到所述第一位置。
3.根據權利要求1的ESD保護電路,其中所述第一觸發信號的脈沖長度不同于所述第二觸發信號的脈沖長度。
4.根據權利要求1的ESD保護電路,其中所述第一觸發信號的脈沖長度與所述第二觸發信號的脈沖長度相同。
5.根據權利要求1的ESD保護電路,還包括:與所述電流控制元件串聯的主泵浦。
6.根據權利要求5的ESD保護電路,其中所述主泵浦包括漏極擴展MOS(DeMOS)晶體管,所述漏極擴展MOS(DeMOS)晶體管具有與所述第一觸發元件的輸出耦合的柵極。
7.根據權利要求1的ESD保護電路,其中所述電流控制元件包括分流器,所述分流器被配置為基于所述第二觸發信號來選擇性地分路由所述ESD脈沖引起的電流。
8.根據權利要求7的ESD保護電路,其中所述分流器包括:
次泵浦元件,所述次泵浦元件具有與所述第二觸發元件的輸出耦合的控制端子,其中所述次泵浦元件被配置為基于第二觸發信號選擇性地將由ESD脈沖引起的電流泵浦到主分路元件的襯底中。
9.根據權利要求8的ESD保護電路,其中所述分流器還包括:
次分路元件,所述次分路元件具有與所述第二觸發元件的輸出耦合的控制端子,其中所述次分路元件被配置為基于所述第二觸發信號選擇性地分路由所述ESD脈沖引起的電流。
10.根據權利要求9的ESD保護電路,其中所述次泵浦元件和所述次分路元件均包括漏極擴展MOS晶體管。
11.根據權利要求7的ESD保護電路,其中所述分流器和所述主分路元件被配置為基于所述第一觸發信號和第二觸發信號同時分路由所述ESD脈沖引起的電流。
12.根據權利要求1的ESD保護電路,其中所述主分路元件包括漏極擴展晶體管。
13.一種由ESD保護電路執行的用于ESD保護的方法,包括:
在檢測到ESD脈沖時,斷言第一脈沖長度的第一觸發信號;
在檢測到所述ESD脈沖時,斷言第二脈沖長度的第二觸發信號,所述第二脈沖長度不同于所述第一脈沖長度;
由所述ESD保護電路的主分路器基于第一觸發信號將所述ESD脈沖的功率分路得遠離易受ESD影響的電路;和
由所述ESD保護電路的電流控制元件基于所述第二觸發信號來選擇性地當作所述主分路器的襯底泵浦以將由所述ESD脈沖引起的電流泵浦到所述主分路器的襯底中并且由所述電流控制元件基于所述第二觸發信號來選擇性地當作與所述主分路器并聯的次分路器。
14.根據權利要求13的方法,其中所述主分路器包括漏極擴展MOS晶體管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





