[發明專利]一種多抗霉素在人參上的殘留分析方法有效
| 申請號: | 201610907396.7 | 申請日: | 2016-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN106546672B | 公開(公告)日: | 2017-09-01 |
| 發明(設計)人: | 侯志廣;逯忠斌;王秀梅;逯洲;趙曉峰;潘普群;侯新港;劉亞娟;劉良月;張浩;王鑫宏 | 申請(專利權)人: | 吉林農業大學 |
| 主分類號: | G01N30/02 | 分類號: | G01N30/02;G01N30/06 |
| 代理公司: | 吉林長春新紀元專利代理有限責任公司22100 | 代理人: | 陳宏偉 |
| 地址: | 130118 吉林省*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多抗 霉素 人參 殘留 分析 方法 | ||
技術領域
本發明提供了一種多抗霉素在人參上的殘留分析方法,是對現有的殘留分析方法的改進,屬于中草藥化學分析技術領域。
背景技術
多抗霉素是由日本理化學研究所鈴木三郎博士等人于1963年從熊本縣蘇郡坊中的土壤中分離出的一種放線菌,是一種廣譜性抗菌素類殺菌劑,具有內吸傳導作用。1982年起在我國投產應用,主要用于防治小麥白粉病,人參黑斑病,煙草赤星病,黃瓜霜霉病,瓜類枯萎病,水稻紋枯病,蘋果斑點落葉病,草莓及葡萄灰霉病,林木枯鞘病等多種真菌病害。其作用機制獨特,能夠干擾細胞壁殼多糖的生物合成,以殼多糖為基質而構成細胞壁的子囊菌綱、擔子菌綱和半知菌綱的一些真菌、芽管、菌絲體接觸藥劑后會局部膨大、破裂、溢出細胞內含物,導致病菌死亡,從而達到殺菌抑菌作用。
作為經典殺菌劑,多抗霉素類殺菌劑自問世以來在世界各國農藥市場所占份額迅速擴大,廣泛應用。隨著人們對環境安全及食品安全的關注,各類農藥在環境介質和各種作物中的殘留檢測方法成為農藥領域研究熱點。因此,如何高效快速地測定多抗霉素類殺菌劑環境介質和各種作物中的殘留檢測方法亦成為該藥劑的熱點問題。然而,由于藥劑自身特點,盡管國內外也有文獻報道關于該類農藥在土壤等環境介質中的殘留分析方法,例如利用C18反相色譜柱和二極管陣列檢測品及藥材中的殘留限量成為農藥科學工作者多年一直努力解決的問題。近年,我器、高效液相色譜法、毛細管電泳-電致化學發光法(CE-ECL)等,但這些方法應用到人參基質上普遍存在回收率低,重現性差等現象,不具備借鑒性,因此,人參中多抗霉素類殺菌劑殘留量測定成為當前殘留分析中的難點。多抗霉素類殺菌劑作為一種高效廣譜的殺菌劑,廣泛應用于蔬菜、水果、藥材等農業生產過程,如何高效快速測定其在作物、果國在人參生產過程中,參農大量使用多抗霉素類殺菌劑防治人參黑斑病等病害,為了避免多抗霉素成為國外限制我國人參出口的技術壁壘,并解決我國人參出口在多抗霉素殘留問題上陷于被動局面,針對多抗霉素類殺菌劑,成功篩選出一個操作簡單、回收率高、重現性好的殘留分析方法勢在必行。此項殘留分析方法的建立不僅可以使我國人參農殘檢測技術水平、標準和國外完全同步,同時也可以避免人參出口過程中遭遇國外綠色壁壘。
發明內容:
本發明公開了一種多抗霉素在人參上的殘留分析方法,該方法主要用于測定人參、西洋參等復雜基質中藥材中殘留的多抗霉素含量的方法,方法具有較強的重現性,回收率可達到80%以上。
本發明所述的一種多抗霉素在人參上的殘留分析方法,包括以下步驟:
1、樣品中多抗霉素B用甲酸水溶液提取:
⑴鮮人參:稱取鮮人參樣品5.0g放入燒杯中,加入0.3%甲酸水溶液20mL,調節pH范圍2-5,勻漿約2min,在鋪有助濾劑的布氏漏斗中減壓抽濾,將濾液全部收集于具塞量筒中,取部分濾液于離心管中,12000rpm離心5min,過0.22μm濾膜,待液相色譜-質譜聯用儀檢測;
⑵人參干粉:稱取人參干粉樣品5.0g于具塞三角瓶中,加入0.3%甲酸水溶液20mL,調節pH范圍2-5,振蕩提取1h,在鋪有助濾劑的布氏漏斗中減壓抽濾,將濾液全部收集于具塞量筒中,取部分濾液于離心管中,12000rpm離心5min,過0.22μm濾膜,待液相色譜-質譜聯用儀檢測;
2、分析測試:
⑴儀器條件:
色譜柱:Agilent Zorbax RRHD Eclipse Plus C18 3.0×100mm 1.8μm;
流動相:乙酸銨2.5mmol/L+0.05%甲酸水溶液∶甲醇梯度洗脫;
梯度洗脫程序:
流速:0.3mL/min;
柱溫:30℃;
進樣量:10μl。
⑵質譜分析條件:
電離源模式:電噴霧離子化;
電離源極性:正離子模式(ESI+);
掃描方式:多反應監測(MRM);
霧化氣:氮氣;
霧化氣壓力:45psi;
毛細管電壓:4000V;
干燥氣溫度:400℃;
干燥氣流速:12L/min;
多抗霉素:定量離子:508.1/490.1;
定性離子:508.1/366;
源內碎裂電壓:120V;
碰撞氣能量:508.1/490.1(10V);
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