[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610907122.8
• 申請(qǐng)日: 2016-10-19
• 公開（公告）號(hào): CN107967874B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李及元;伊恩法蘭契;林勝隆;梁廣恒;蔡淑芬;陳家弘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 元太科技工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): G09F9/30
• 分類號(hào): G09F9/30
• 代理公司: 北京中譽(yù)威圣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11279
• 代理人: 王正茂;叢芳

本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)，包含像素電極、至少一個(gè)數(shù)據(jù)選擇線與至少一個(gè)隔離線。至少一個(gè)隔離線沿像素電極排列。像素電極用以儲(chǔ)存像素電壓。至少一個(gè)數(shù)據(jù)選擇線用以傳遞至少一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)。至少一個(gè)隔離線用以降低至少一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)的電場(chǎng)對(duì)像素電極的像素電壓的影響。至少一個(gè)隔離線的投影區(qū)域與像素電極的投影區(qū)域重疊。本發(fā)明可通過耦接固定電壓(例如接地端)的隔離線來降低數(shù)據(jù)信號(hào)的電場(chǎng)對(duì)像素電極(尤其是第二電極)的影響。因此，可降低亮度不均(Mura)的現(xiàn)象，有效地提升像素結(jié)構(gòu)的顯示質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種像素技術(shù)，且特別涉及一種像素結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

在大型面板中，為了縮減邊框的寬度而增加數(shù)據(jù)選擇線的數(shù)目，導(dǎo)致像素之間的間距過大。通過橋接方式使像素電極的面積增加以降低像素之間的間距，卻也因此導(dǎo)致數(shù)據(jù)選擇線的電場(chǎng)影響像素電極，因此降低像素的顯示質(zhì)量。

發(fā)明

本發(fā)明的目的是提供一種像素結(jié)構(gòu)，可降低亮度不均(Mura)的現(xiàn)象，有效地提升畫素像素結(jié)構(gòu)的顯示質(zhì)量。

根據(jù)本發(fā)明提供的一種像素結(jié)構(gòu)，其包含像素電極、至少一個(gè)數(shù)據(jù)選擇線與至少一個(gè)隔離線。至少一個(gè)隔離線沿像素電極排列。像素電極用以儲(chǔ)存像素電壓。至少一個(gè)數(shù)據(jù)選擇線用以傳遞至少一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)。至少一個(gè)隔離線用以降低至少一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)的電場(chǎng)對(duì)像素電極的像素電壓的影響。至少一個(gè)隔離線的投影區(qū)域與像素電極的投影區(qū)域重疊。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，像素電極包含第一電極與第二電極。第二電極電性耦接第一電極。至少一個(gè)隔離線的投影區(qū)域與第二電極的投影區(qū)域重疊。

的本發(fā)明內(nèi)容的一實(shí)施例中，至少一個(gè)隔離線與至少一個(gè)數(shù)據(jù)選擇線設(shè)置于相同層。

在本發(fā)明內(nèi)容的一實(shí)施例中，至少一個(gè)隔離線設(shè)置于像素電極與至少一個(gè)數(shù)據(jù)選擇線之間。

在本發(fā)明內(nèi)容的一實(shí)施例中，至少一個(gè)隔離線與像素電極間隔第一距離。第一距離不大于像素電極與至少一個(gè)數(shù)據(jù)選擇線的距離。

在本發(fā)明內(nèi)容的一實(shí)施例中，第一距離介于3微米(μm)至7微米的范圍。

在本發(fā)明內(nèi)容的一實(shí)施例中，至少一個(gè)隔離線與至少一個(gè)數(shù)據(jù)選擇線間隔第二距離。第二距離小于像素電極與至少一個(gè)數(shù)據(jù)選擇線的距離。

在本發(fā)明內(nèi)容的一實(shí)施例中，第二距離介于3微米(μm)至7微米的范圍。

在本發(fā)明內(nèi)容的一實(shí)施例中，至少一個(gè)隔離線電性耦接至固定電壓。

在本發(fā)明內(nèi)容的一實(shí)施例中，至少一個(gè)隔離線電性耦接至接地端。

綜上所述，本發(fā)明可通過耦接固定電壓(例如接地端)的隔離線來降低數(shù)據(jù)信號(hào)的電場(chǎng)對(duì)像素電極(尤其是第二電極)的影響。因此，可降低亮度不均(Mura)的現(xiàn)象，有效地提升像素結(jié)構(gòu)的顯示質(zhì)量。

以下將以實(shí)施方式對(duì)上述的說明作詳細(xì)的描述，并對(duì)本發(fā)明內(nèi)容的技術(shù)方案提供更進(jìn)一步的解釋。

附圖說明

為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例更明顯易懂，所附圖示之說明如下：

圖1是說明本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；

圖2是說明本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的截面示意圖；以及

圖3是說明本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的截面示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明內(nèi)容的敘述更加詳盡與完備，可參照附圖及以下所述的各種實(shí)施例。但所提供的實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明所涵蓋的范圍；步驟的描述也非用以限制其執(zhí)行的順序，任何由重新組合，所產(chǎn)生具有均等功效的裝置，皆為本發(fā)明所涵蓋的范圍。