[發(fā)明專利]像素結構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610907122.8 | 申請日： | 2016-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN107967874B | 公開（公告）日： | 2020-04-28 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李及元;伊恩法蘭契;林勝隆;梁廣恒;蔡淑芬;陳家弘 | 申請（專利權）人： | 元太科技工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號： | G09F9/30 | 分類號： | G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;叢芳 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 像素 結構 | ||
1.一種像素結構，其特征在于，包含：
像素電極，用以儲存像素電壓，所述像素電極包含：
第一電極；以及
第二電極，其中所述第一電極與所述第二電極間具有縫隙，所述第二電極以橋接方式電性耦接所述第一電極以增加所述像素電極面積；
至少一個數(shù)據選擇線，用以傳遞至少一個數(shù)據信號；以及
至少一個隔離線，沿所述像素電極排列并用以降低所述至少一個數(shù)據信號的電場對所述像素電極的所述像素電壓的影響，其中所述至少一個隔離線的投影區(qū)域與所述像素電極的投影區(qū)域重疊。
2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述至少一個隔離線的投影區(qū)域與所述第二電極的投影區(qū)域重疊。
3.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述至少一個隔離線與所述至少一個數(shù)據選擇線設置于相同層。
4.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述至少一個隔離線設置于所述像素電極與所述至少一個數(shù)據選擇線之間。
5.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述至少一個隔離線與所述像素電極間隔第一距離，所述第一距離不大于所述像素電極與所述至少一個數(shù)據選擇線的距離。
6.如權利要求5所述的像素結構，其特征在于，所述第一距離介于3微米至7微米的范圍。
7.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述至少一個隔離線與所述至少一個數(shù)據選擇線間隔第二距離，所述第二距離小于所述像素電極與所述至少一個數(shù)據選擇線的距離。
8.如權利要求7所述的像素結構，其特征在于，所述第二距離介于3微米至7微米的范圍。
9.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述至少一個隔離線電性耦接至固定電壓。
10.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述至少一個隔離線電性耦接至接地端。
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