[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201610905679.8
• 申請日: 2016-10-18
• 公開（公告）號: CN106960837A
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發明（設計）人: 王垂堂;陳頡彥;湯子君;余振華;楊青峰;劉明凱;王彥評;吳凱強;張守仁;林韋廷;呂俊麟
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/31;H01L25/16;H01L21/98
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

1.一種半導體器件，包括：

半導體管芯；

絕緣層，圍繞所述半導體管芯；

后鈍化互連件(PPI)，位于所述絕緣層和第一半導體管芯上方；

導電部件，位于所述絕緣層的邊緣中并且延伸穿過所述絕緣層，其中，所述導電部件包括從所述絕緣層暴露的表面；

EMI(電磁干擾)屏蔽罩，基本覆蓋所述絕緣層的邊緣并且與所述導電部件的暴露的表面接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述導電部件沿著與所述半導體管芯的厚度平行的方向延伸穿過所述絕緣層。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述導電部件包括凹進部分，并且所述凹進部分從所述導電部件的暴露的表面開始并且朝向所述半導體管芯凹進。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述凹進部分包括內表面，并且所述內表面與所述絕緣層隔離。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述導電部件還包括連接至所述凹進部分的延伸部分，并且所述延伸部分比所述凹進部分更遠離所述暴露的表面延伸。

6.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述導電部件還包括連接至所述凹進部分的延伸部分，并且所述延伸部分比所述凹進部分更遠離所述暴露的表面延伸，所述延伸部分包括在不同的徑向方向上分別延伸的至少兩個分支。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述導電部件配置為連接至地。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括位于所述PPI上方的電子組件，其中，所述電子組件通過所述PPI電連接至所述半導體管芯。

9.一種3D(三維)半導體封裝件，包括：

模制構造，包括：

第一和第二半導體管芯或組件，在一方向上堆疊；

互連件，介于所述第一和第二半導體管芯或組件之間；

絕緣層，圍繞所述第一半導體管芯或組件；

導電支柱，與所述互連件、所述第一和第二半導體管芯或組件中的至少一個電通信；以及

導電部件，與所述導電支柱沿著所述堆疊方向延伸并且延伸穿過所述絕緣層，其中，所述導電部件包括在與所述堆疊方向垂直的方向上從所述絕緣層暴露的表面，并且所述導電部件配置為與地連接；

EMI屏蔽罩，覆蓋所述模制構造的外表面并且與所述導電部件的暴露的表面接觸。

10.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供襯底；

將多個半導體管芯設置在所述襯底上方；

在劃線區域周圍形成偽導電圖案，由此圍繞所述多個半導體管芯的每一個半導體管芯并且分開所述多個半導體管芯的每一個管芯；以及

通過切割所述劃線區域和所述偽導電圖案的一部分進行分割以分離所述多個半導體管芯，由此暴露所述偽導電圖案的導電表面。