[發明專利]激光加工方法

有效

• 申請號: 201610901127.X
• 申請日: 2011-12-15
• 公開（公告）號: CN106914697B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 奧間惇治;坂本剛志
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: B23K26/00
• 分類號: B23K26/00;B23K26/08;B28D5/00;C30B29/36;C30B33/06;H01L21/304;H01L29/16;B23K26/0622;B23K101/18;B23K101/40
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;沈娟

準備具備具有與c面成偏離角的角度的表面(12a)的六方晶系SiC基板(12)的板狀的加工對象物(1)。接著，將脈沖振蕩后的激光(L)的聚光點(P)對準于SiC基板(12)的內部，以脈沖間距為10μm～18μm的方式沿著切斷預定線(5a,5m)將激光(L)照射于加工對象物(1)。由此，沿著切斷預定線(5a,5m)，將作為切斷起點的改質區域(7a,7m)形成于SiC基板(12)的內部。

(本申請是申請日為2011年12月15日、申請號為201180064900.7、發明名稱為“激光加工方法”的專利申請的分案申請。)

技術領域

本發明涉及一種用來將具備SiC基板的板狀的加工對象物沿著切斷預定線進行切斷的激光加工方法。

背景技術

SiC(碳化硅)，是作為能夠制造耐熱性、耐高電壓性、省電性優異的功率器件的半導體材料而引人注目。然而，由于SiC是具有僅次于鉆石的硬度的難加工材料，因此，若要將具備SiC基板的板狀的加工對象物通過刀片切割進行切斷，則需要進行低速度的加工或頻繁地更換刀片。因此，通過對加工對象物照射激光，沿著切斷預定線在SiC基板的內部形成改質區域，以該改質區域為起點而沿著切斷預定線將加工對象物進行切斷的激光加工方法已被提出(例如參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特表2007-514315號公報

發明內容

發明所要解決的技術問題

然而，在通過上述那樣的激光加工方法，將具備具有與c面成偏離角的角度的主面的六方晶系SiC基板的板狀的加工對象物進行切斷的情況下，本發明人等發現存在著如下的技術問題。即，為了在形成改質區域時讓龜裂從改質區域到達SiC基板的激光入射面，若以讓龜裂從改質區域向SiC基板的厚度方向伸展的方式將激光照射于加工對象物，則龜裂也變得容易從改質區域向c面方向伸展。

因此，本發明的目的在于，提供一種激光加工方法，其能夠將具備具有與c面成偏離角的角度的主面的六方晶系SiC基板的板狀的加工對象物沿著切斷預定線精度高地切斷。

解決技術問題的手段

本發明的一個觀點的激光加工方法，是用來將具備具有與c面成偏離角的角度的主面的六方晶系SiC基板的板狀的加工對象物沿著切斷預定線進行切斷的激光加工方法，通過使脈沖振蕩后的激光的聚光點對準于SiC基板的內部，以脈沖間距為10μm～18μm的方式沿著切斷預定線將激光照射于加工對象物，從而沿著切斷預定線將作為切斷起點的改質區域形成于SiC基板的內部。

在該激光加工方法中，以脈沖間距(“激光的聚光點相對于加工對象物的移動速度”除以“脈沖激光的重復頻率”的值)為10μm～18μm的方式沿著切斷預定線對加工對象物照射激光。若在這樣的條件下對加工對象物照射激光，能夠讓龜裂容易從改質區域向SiC基板的厚度方向伸展，同時讓龜裂難以從改質區域向c面方向伸展。因此，根據該激光加工方法，可以將具備具有與c面成偏離角的角度的主面的六方晶系SiC基板的板狀的加工對象物沿著切斷預定線高精度地切斷。再有，偏離角包含0°的情況。在這種情況下，主面與c面平行。

本發明的一個觀點的激光加工方法中，激光可以以脈沖間距為12μm～14μm的方式沿著切斷預定線照射于加工對象物。據此，能夠讓龜裂更容易從改質區域向SiC基板的厚度方向伸展，同時讓龜裂更難以從改質區域向c面方向伸展。

本發明的一個觀點的激光加工方法中，激光可以以20ns～100ns的脈沖寬度進行脈沖振蕩，也可以以50ns～60ns的脈沖寬度進行脈沖振蕩。根據這些，能更切實地讓龜裂容易從改質區域向SiC基板的厚度方向伸展，同時更切實地讓龜裂難以從改質區域向c面方向伸展。