[發明專利]激光加工方法

有效

• 申請號: 201610901127.X
• 申請日: 2011-12-15
• 公開（公告）號: CN106914697B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 奧間惇治;坂本剛志
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: B23K26/00
• 分類號: B23K26/00;B23K26/08;B28D5/00;C30B29/36;C30B33/06;H01L21/304;H01L29/16;B23K26/0622;B23K101/18;B23K101/40
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;沈娟

1.一種激光加工方法，其特征在于，

是用來將具備六方晶系SiC基板的板狀的加工對象物沿著多條切斷預定線的各條進行切斷的激光加工方法，該六方晶系SiC基板具有與c面成偏離角的角度的主面，

多條所述切斷預定線包括多條第1切斷預定線和多條第2切斷預定線，多條所述第1切斷預定線的各條沿著與所述主面及所述SiC基板的a面平行的方向延伸，多條所述第2切斷預定線的各條沿著與所述主面及所述SiC基板的m面平行的方向延伸，

所述激光加工方法包括：

第一工序，通過使脈沖振蕩后的激光的聚光點對準于所述SiC基板的內部，以脈沖間距為10μm～18μm的方式沿著所述第1切斷預定線將所述激光照射于所述加工對象物，從而沿著所述第1切斷預定線，將作為切斷起點的第1改質區域形成于所述SiC基板的內部，以排列在所述SiC基板的厚度方向上的方式對于1條所述第1切斷預定線形成多列所述第1改質區域，和

第二工序，通過使所述聚光點對準于所述SiC基板的內部，以脈沖間距為10μm～18μm的方式沿著所述第2切斷預定線將所述激光照射于所述加工對象物，從而沿著所述第2切斷預定線，將作為切斷起點的第2改質區域形成于所述SiC基板的內部，以排列在所述SiC基板的厚度方向上的方式對于1條所述第2切斷預定線形成多列所述第2改質區域，

在所述第一工序中，以使離所述SiC基板的激光入射面第2近的所述第1改質區域比離所述激光入射面最近的所述第1改質區域更小的方式，以離所述激光入射面從遠到近的順序形成所述第1改質區域，

在所述第二工序中，以使離所述激光入射面最近的所述第2改質區域比離所述激光入射面第2近的所述第2改質區域更小的方式，以離所述激光入射面從遠到近的順序形成所述第2改質區域，

所謂脈沖間距，是“所述聚光點相對于所述加工對象物的移動速度”除以“所述激光的重復頻率”的值。

2.如權利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，

所述激光以所述脈沖間距為12μm～14μm的方式沿著所述第1切斷預定線和所述第2切斷預定線的各條照射于所述加工對象物。

3.如權利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，

所述激光以20ns～100ns的脈沖寬度進行脈沖振蕩。

4.如權利要求2所述的激光加工方法，其特征在于，

所述激光以20ns～100ns的脈沖寬度進行脈沖振蕩。

5.如權利要求3所述的激光加工方法，其特征在于，

所述激光是以50ns～60ns的脈沖寬度進行脈沖振蕩。

6.如權利要求4所述的激光加工方法，其特征在于，

所述激光是以50ns～60ns的脈沖寬度進行脈沖振蕩。

7.如權利要求1～6中的任一項所述的激光加工方法，其特征在于，

在形成所述第1改質區域和所述第2改質區域后，以所述第1改質區域和所述第2改質區域的各個為起點，沿著所述第1切斷預定線和所述第2切斷預定線的各條將所述加工對象物切斷。

8.如權利要求1～6中的任一項所述的激光加工方法，其特征在于，

所述第1改質區域和所述第2改質區域的各個包含熔融處理區域。

9.如權利要求7所述的激光加工方法，其特征在于，

所述第1改質區域和所述第2改質區域的各個包含熔融處理區域。