[發(fā)明專利]感測裝置及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610900645.X | 申請日: | 2016-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN107039286A | 公開(公告)日: | 2017-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉滄宇;溫英男;廖季昌;黃玉龍 | 申請(專利權(quán))人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/683;H01L23/498;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 中國臺灣桃園市中*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)于一種感測裝置及其制造方法,特別為有關(guān)于以晶圓級封裝制程制作感測生物特征的感測裝置。
背景技術(shù)
晶片封裝制程是形成電子產(chǎn)品過程中的重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護(hù)于其中,使其免受外界環(huán)境污染外,還提供晶片內(nèi)部電子元件與外界的電性連接通路。具有感測功能的晶片封裝體通常與其他電子構(gòu)件一起接合于電路板上,進(jìn)而形成感測裝置,并進(jìn)一步組合于電子產(chǎn)品內(nèi)。
然而,傳統(tǒng)的感測裝置的制程繁復(fù)、良率低。感測裝置通常凹陷于電子產(chǎn)品外殼內(nèi),而不利于使用者的操作,且一旦感測晶片或晶片封裝體毀損或失效,整個感測裝置即無法使用。
因此,有必要尋求一種新穎的感測裝置及其制造方法,其能夠解決或改善上述的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種感測裝置的制造方法,包括提供一第一基底。第一基底具有一第一表面及與其相對的一第二表面,且一感測區(qū)鄰近于第一表面。在第一表面上提供一暫時性蓋板,以覆蓋感測區(qū)。在第二表面上形成一重布線層,重布線層電性連接至感測區(qū)。在形成重布線層之后,去除暫時性蓋板。在去除暫時性蓋板之后,將第一基底接合至一第二基底及一蓋板,使得第一基底位于第二基底與蓋板之間。重布線層電性連接至第二基底。在第二基底與蓋板之間填入一封膠層,以環(huán)繞第一基底。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種感測裝置,包括一第一基底。第一基底位于一第二基底與一蓋板之間。一感測區(qū)感測區(qū)鄰近于第一基底面向蓋板的表面。一重布線層位于第一基底與第二基底之間。重布線層電性連接至感測區(qū)及第二基底。一底膠層位于重布線層與第二基底之間。一封膠層環(huán)繞第一基底及底膠層。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種感測裝置,包括一基底。基底承載于一支撐基底上,且基底具有一第一表面及與其相對的一第二表面。多個感測區(qū)鄰近于第一表面,且用以感測生物特征。多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于第二表面,且電性連接至對應(yīng)的該測區(qū)。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)彼此電性絕緣。一溝槽延伸于感測區(qū)之間及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間,且露出支撐基底。
本發(fā)明提供了簡化的制程,可有效降低制造成本及縮小感測裝置的尺寸,且有利于提供感測裝置平坦的感測表面。
附圖說明
圖1A至1E及圖1G至1I是繪示出根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的感測裝置的制造方法的剖面示意圖。
圖1F是繪示出根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的感測裝置的制造方法的平面示意圖。
圖2A至2C是繪示出根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的感測裝置的制造方法的剖面示意圖。
其中,附圖中符號的簡單說明如下:100:第一基底;100a:第一表面;100b:第二表面;110:感測區(qū);120:晶片區(qū);130:絕緣層;140:導(dǎo)電墊;165:暫時性粘著層;170:暫時性蓋板;190:第一開口;200:第二開口;210:絕緣層;220:重布線層;230:保護(hù)層;240:孔洞;250:導(dǎo)電結(jié)構(gòu);260:第二基底;270A:框體;270B:切割膠帶;280:底膠層;290:粘著層;300:蓋板;310:封膠層;320、330:感測裝置;A、B:子結(jié)構(gòu);SC:切割道;SC’:溝槽。
具體實(shí)施方式
以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然而應(yīng)注意的是,本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念,其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式,非用以限制本發(fā)明的范圍。此外,在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明,不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)聯(lián)性。再者,當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時,包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





