[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201610899221.6
• 申請日: 2016-10-14
• 公開（公告）號: CN106971987B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 金榮得
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/42;H01L23/544
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導體器件，包括：

半導體封裝，包括：

包括熱自其產生的熱點的半導體芯片；

包覆所述半導體芯片的模制層；以及

布置在所述模制層上的散熱板，

布置在所述半導體封裝上的標記，其中所述標記形成在所述半導體封裝的與所述熱點的位置對應的區域中；以及

附貼到所述半導體封裝的頂表面的散熱層，

其中所述散熱板包括從所述散熱板突出的擴展部分，所述標記包括所述擴展部分。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述標記包括布置在所述模制層中的導熱層，并且所述導熱層的表面被所述模制層暴露。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其中所述導熱層與所述半導體芯片間隔開。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述標記包括形成在所述模制層的上表面內的凹陷。

5.一種半導體器件，包括：

半導體封裝，包括：

包含熱自其產生的熱點的半導體芯片；

包覆所述半導體芯片的模制層；以及

布置在所述模制層上的散熱板；

與所述半導體封裝組裝的裝置組裝件，

標記，其被布置在所述半導體封裝的表面上，其中所述半導體封裝的所述表面面向所述裝置組裝件，并且所述標記形成在所述半導體封裝的與所述熱點的位置對應的區域中，

其中所述散熱板包括從所述散熱板突出的擴展部分，所述標記包括所述擴展部分。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其中所述裝置組裝件包括以下中的至少一個：

布置在所述半導體封裝的所述表面上的裝置框架；以及

布置在所述半導體封裝的所述表面和所述裝置框架之間的散熱層。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其中所述標記包括填充形成在所述模制層的表面中的凹陷的導熱層，所述散熱板被布置在所述模制層的所述表面上并且覆蓋所述導熱層。

8.如權利要求7所述的半導體器件，其中所述凹陷和所述導熱層與所述半導體芯片間隔開。

9.如權利要求6所述的半導體器件，其中所述標記包括形成在所述模制層的表面中的凹陷，所述散熱板被布置在所述模制層的所述表面上并且覆蓋所述凹陷。

10.如權利要求6所述的半導體器件，其中所述擴展部分接觸所述裝置框架。

11.一種半導體器件，包括：

安裝在板上的半導體封裝；

布置在所述半導體封裝上的裝置框架；以及

布置在所述半導體封裝和所述裝置框架之間的散熱層，

其中所述半導體封裝包括：

包含熱自其產生的熱點的半導體芯片；以及

包覆所述半導體芯片并且具有鄰近所述板的底表面的模制層，以及

其中，標記被布置在所述半導體封裝的表面上，所述半導體封裝的所述表面面向所述散熱層，以及所述標記形成在所述半導體封裝的與所述熱點的位置對應的區域中。

12.如權利要求11所述的半導體器件，其中所述標記包括布置在所述模制層的頂表面上的二維（2D）圖樣或三維（3D）圖樣。

13.如權利要求12所述的半導體器件，其中所述標記包括雕刻在所述模制層的所述頂表面上的符號或數字。

14.如權利要求12所述的半導體器件，其中所述標記包括形成在所述模制層的所述頂表面中的凹陷。

15.如權利要求14所述的半導體器件，其中所述標記進一步包括填充所述凹陷的導熱層。