[發明專利]半導體晶片、用于保持其的基座和在其上沉積層的方法

有效

• 申請號: 201610899163.7
• 申請日: 2016-10-14
• 公開（公告）號: CN107034449B
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: R·紹爾;C·哈格爾
• 申請（專利權）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;H01L21/687;H01L21/20
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 李隆濤

技術領域

本發明的主題是基座，所述基座用于在半導體晶片的前側上沉積層的期間保持具有定向缺口的半導體晶片?；哂蟹胖帽砻婧退龇胖帽砻娴呐_階形外定界，所述放置表面用于將半導體晶片放置在半導體晶片的后側的邊緣區域中。本發明的主題還是一種用于在具有定向缺口的半導體晶片上沉積層的方法和由單晶硅制成的半導體晶片，該基座在所述方法中被使用。

背景技術

提及類型的基座在各種實施例中是已知的。在DE 198 47 101 C1中描述了一個實施例，其中放置表面是形成基座的環的部件。在根據EP 1 460 679 A1的實施例中，基座額外地具有底部并因此是盤的形式。放置表面由在盤邊緣上的凸出部分形成。在DE 10 2006 055 038 A1中示出了一個實施例，其中半導體晶片位于環的凹陷部分中，并且環位于基盤上。

當在半導體晶片的前側上沉積層時，特別做出努力以生成具有均勻層厚度的層且以使該層的可用表面盡可能近地向半導體晶片的邊緣延伸。當試圖實現該規范時，面臨的問題是平坦度問題發生在半導體晶片的定向缺口的區域中，造成問題的原因是半導體晶片的后側上的較厚的層厚度和材料沉積。為了解決這個問題，在US 2012/0270407 A1和JP 2013-51290中提出了基座的放置表面在一個點處向內擴大，并且半導體晶片被平躺在基座上使得定向缺口在該點處靠在放置表面上。

US 2013/0264690 A1涉及具有外延層的半導體晶片、特別是在半導體晶片的邊緣區域中的平坦度的改進。由ESFQR_mean表示且考慮到1mm的邊緣排除區域的前側的邊緣區域中的局部幾何形狀不大于100nm。

發明內容

盡管引用的現有技術，用于改進涂覆的半導體晶片在定向缺口的區域中的局部平坦度的需求仍然存在。

本發明的目的是提出一種解決方案，該解決方案大大地減少了在定向缺口的區域中的過量的層厚度和沉積在半導體晶片背側上定向缺口的區域中的過量的材料。

該目的通過以下的基座被實現：所述基座用于在半導體晶片的前側上的層的沉積期間保持具有定向缺口的半導體晶片；所述基座包括：

放置表面，用于放置半導體晶片的后側的邊緣區域；

放置表面的臺階形外定界；和

放置表面的外定界的凹口，以便將半導體晶片的后側的邊緣區域的所述定向缺口位于其中的局部區域放置在所述放置表面的由其外定界的凹口限定的局部區域上。

放置表面的外定界的凹口向內定向，且優選地具有與放置在基座上的半導體晶片的定向缺口的形狀互補的形狀。放置表面的外定界的凹口的存在具有確保在半導體晶片的外邊緣和放置表面的外定界之間的均勻距離的效果。該距離在定向缺口的區域中和在定向缺口外的區域中基本相同。這對沉積氣體的流行為有影響。流圖像在定向缺口的區域中和在定向缺口外的區域中基本相同。材料沉積在半導體晶片的邊緣區域中因此基本上是均勻的。

放置表面和放置表面的臺階形外定界形成具有幾乎均勻直徑的接近圓形的容窩，所述容窩用于容納具有定向缺口的半導體晶片。由于放置表面的外定界的凹口，放置表面的外定界的直徑在該位置處比在其余位置處更小。

放置表面的徑向寬度是在放置表面的外定界和放置表面的內邊緣之間的距離。放置表面的徑向寬度比放置表面的外定界在凹口范圍外的直徑小得多。優選地不大于該直徑的10％。另一方面，放置表面足夠寬以便下襯在放置表面上放置的半導體晶片、完全地下襯半導體晶片的定向缺口所在的區域，即，在放置表面的外定界的凹口的區域中，放置表面具有徑向寬度，由此放置表面至少延伸向內直到在放置表面的該區域上鋪放的半導體晶片的定向缺口。沉積氣體通過定向缺口到達半導體晶片的后側因此變得更加困難。

放置表面的徑向寬度優選是均勻的、即在放置表面的外定界的凹口的區域中與在該區域外基本上相同。在這種情況下，放置表面的向內定向的凹口在放置表面的由其外定界的凹口限定的區域中被設置。盡管如此，還可設置成放置表面在其外定界的凹口的區域中比該區域外具有更小的徑向寬度。

放置表面水平或稍微向內傾斜地布置。傾斜的角度優選不大于3°。傾斜的輪廓可是直線或彎曲的。