[發明專利]半導體晶片、用于保持其的基座和在其上沉積層的方法

有效

• 申請號: 201610899163.7
• 申請日: 2016-10-14
• 公開（公告）號: CN107034449B
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: R·紹爾;C·哈格爾
• 申請（專利權）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;H01L21/687;H01L21/20
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 李隆濤

1.一種用于在半導體晶片的前側上沉積層的期間保持具有定向缺口的所述半導體晶片的基座，包括：

放置表面，用于放置所述半導體晶片的后側的邊緣區域；

所述放置表面的臺階形外定界；和

所述放置表面的外定界的凹口，以便將所述半導體晶片的后側的邊緣區域的所述定向缺口位于其中的局部區域放置在所述放置表面的由其外定界的凹口限定的局部區域上。

2.如權利要求1中所述的基座，其特征在于，所述放置表面的凹口用于放置所述半導體晶片的后側的邊緣區域的所述定向缺口位于其中的局部區域。

3.如權利要求1或權利要求2中所述的基座，其中，所述放置表面水平布置。

4.如權利要求1或2中所述的基座，其中，所述放置表面向內傾斜地被布置，其中，傾斜的角度不大于3°。

5.如權利要求1至4中的任一項所述的基座，其中，在所述半導體晶片的放置之后，所述放置表面以其由外定界的凹口限定的區域至少延伸向內遠至所述定向缺口。

6.一種用于在具有定向缺口的半導體晶片上沉積層的方法，其特征在于，將所述半導體晶片放置在如權利要求1至5中任一項所述的基座上，其中，所述半導體晶片的后側的邊緣區域的所述定向缺口位于其中的區域被放置在所述基座的放置表面的由外定界的凹口限定的區域上；

供應處理氣體至所述半導體晶片的前側并令所述層沉積在所述半導體晶片的前側上。

7.如權利要求5中所述的方法，其中，外延層被沉積在所述半導體晶片的前側上。

8.如權利要求6中所述的方法，其中，由硅制成的外延層被沉積在由硅制成的單晶半導體晶片上，使所述外延層的厚度不小于1.5μm且不大于5μm。

9.一種由單晶硅制成的半導體晶片，所述半導體晶片具有直徑、前側、后側、邊緣區域、所述邊緣區域中的定向缺口、以及所述前側上的由硅制成的外延層，其中所述外延層的厚度不小于1.5μm且不大于5μm，其特征在于，所述半導體晶片的在所述定向缺口的區域中的由ESFQR表示的局部平坦度不小于5nm且不大于20nm。

10.如權利要求9中所述的半導體晶片，其特征在于，所述半導體晶片具有不小于200mm的直徑。

11.如權利要求9或權利要求10中所述的半導體晶片，其特征在于，在所述半導體晶片的后側上的材料沉積是在包圍所述定向缺口的矩形評估區上，其中，所述材料沉積的厚度不大于15nm。