[發明專利]加熱構件、靜電卡盤及陶瓷加熱器

有效

• 申請號: 201610898653.5
• 申請日: 2016-10-14
• 公開（公告）號: CN106952843B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 石川敬展;乾靖彥;岐部太一;倉野淳
• 申請（專利權）人: 日本特殊陶業株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683;H05B3/03;H05B3/26
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發明提供能夠減小因陶瓷基板中的多個導電層而產生的高度差、且能夠抑制陶瓷基板上的剝離的加熱構件、靜電卡盤及陶瓷加熱器。加熱構件(5)包括：陶瓷基板(13)，其具有多個陶瓷層(17)層疊而成的結構；電阻發熱體(11)，其埋設于陶瓷基板(13)；供電部(23)，其配置于陶瓷基板(13)的表面；以及供電路徑(K)，其埋設于陶瓷基板(13)并且電連接電阻發熱體(11)與供電部(23)。供電路徑(K)包括：在陶瓷基板(13)的厚度方向的不同位置沿著陶瓷層(7)的平面方向配置的多個導電層(X、Y)和沿著陶瓷基板(13)的厚度方向配置的多個通路構件(V)，在從厚度方向觀察多個導電層(X、Y)時，其外緣(Xa、Ya)的位置錯開。

技術領域

本發明涉及能夠對例如半導體晶圓等被加工物進行加熱的加熱構件、具有該加熱構件的靜電卡盤及陶瓷加熱器。

背景技術

一直以來，在半導體制造裝置中，對半導體晶圓(例如硅片)進行了干蝕刻(例如等離子體蝕刻)等處理。為了提高該干蝕刻的精度，需要預先將半導體晶圓可靠地固定，作為固定半導體晶圓的固定部件，提出了利用靜電引力固定半導體晶圓的靜電卡盤。

具體地說，在靜電卡盤中，例如，在層疊了陶瓷層的陶瓷基板的內部具有吸附用電極，使用在對吸附用電極施加電壓時產生的靜電引力，使半導體晶圓吸附在陶瓷基板的一個面(吸附面)上。另外，靜電卡盤通常在陶瓷基板的另一個面(接合面)上接合有金屬基座。

另外，也公知有具有對吸附于吸附面的半導體晶圓的溫度進行調節(加熱或冷卻)的功能的靜電卡盤。例如，也公知有通過在陶瓷基板內配置發熱體(例如線狀的發熱圖案)、并利用該發熱體對陶瓷基板進行加熱，來對吸附面上的半導體晶圓進行加熱的技術。另外，也公知有在金屬基座上設置供冷卻用流體流動的冷卻路徑、并利用該冷卻用流體對陶瓷基板進行冷卻的技術。

而且近年來，為了使吸附面的平面方向上的溫度(即面內溫度)均勻化，作為向發熱體供給電力的供電路徑，公開了在陶瓷基板的內部配置了多層(例如兩層)作為接合區圖案的導電層的技術(參照專利文獻1)。

在該技術中，作為例如配置在厚度方向的不同位置的兩層導電層，使用了沿著陶瓷層平面形狀(即厚度方向上的投影形狀)和外形尺寸相同的導電層。另外，以電連接兩導電層之間的方式沿著厚度方向形成有通路構件。

另外，在如上所述在陶瓷基板中設置兩層導電層的情況下，例如，將形成了成為導電層的圖案的陶瓷坯片層疊，之后通過燒制制作出陶瓷基板。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2014－75525號公報

發明內容

發明要解決的問題

但是，如上所述，在例如以厚度方向上的投影形狀和外形尺寸相同的方式配置兩層導電層的技術中，在重疊配置兩層導電層的部位和其周圍的部位，產生了與兩層導電層的厚度相應的較大的高度差，因此在存在高度差的部位附近有可能在陶瓷層之間產生剝離。

即，導電層被陶瓷層夾著，但是在上述高度差的影響下，有可能在陶瓷層之間產生剝離。

本發明是鑒于上述問題而做成的，其目的在于提供能夠減小因陶瓷基板中的多個導電層而產生的高度差、且能夠抑制陶瓷基板上的剝離的加熱構件、靜電卡盤及陶瓷加熱器。

用于解決問題的方案