[發(fā)明專利]加熱構(gòu)件、靜電卡盤(pán)及陶瓷加熱器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610898653.5
• 申請(qǐng)日: 2016-10-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106952843B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石川敬展;乾靖彥;岐部太一;倉(cāng)野淳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日本特殊陶業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/683;H05B3/03;H05B3/26
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會(huì)華

1.一種加熱構(gòu)件，該加熱構(gòu)件包括：

陶瓷基板，其具有多個(gè)陶瓷層層疊而成的結(jié)構(gòu)；

電阻發(fā)熱體，其埋設(shè)于所述陶瓷基板；

供電部，其配置于所述陶瓷基板的表面；以及

供電路徑，其埋設(shè)于所述陶瓷基板并且電連接所述電阻發(fā)熱體與所述供電部，該加熱構(gòu)件的特征在于，

所述供電路徑包括多個(gè)導(dǎo)電層和多個(gè)通路構(gòu)件，所述多個(gè)導(dǎo)電層在所述陶瓷基板的厚度方向的不同位置沿著所述陶瓷層的平面方向配置，所述多個(gè)通路構(gòu)件沿著所述陶瓷基板的厚度方向配置，

在從所述厚度方向觀察所述多個(gè)導(dǎo)電層時(shí)，至少一對(duì)導(dǎo)電層的外緣的位置錯(cuò)開(kāi)，

在所述多個(gè)導(dǎo)電層中的至少兩層上具有沿厚度方向貫穿所述導(dǎo)電層的多個(gè)通孔，在該多個(gè)通孔中僅填充有構(gòu)成所述陶瓷層的材料，

并且，在從所述厚度方向觀察具有所述通孔的至少兩層導(dǎo)電層時(shí)，各個(gè)導(dǎo)電層的通孔的位置錯(cuò)開(kāi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱構(gòu)件，其特征在于，

在從所述厚度方向觀察所述外緣的位置錯(cuò)開(kāi)的一對(duì)導(dǎo)電層時(shí)，在利用一個(gè)導(dǎo)電層的外緣劃定的范圍內(nèi)包含有另一個(gè)導(dǎo)電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的加熱構(gòu)件，其特征在于，

在從所述厚度方向觀察所述外緣的位置錯(cuò)開(kāi)的一對(duì)導(dǎo)電層時(shí)，所述電阻發(fā)熱體側(cè)的導(dǎo)電層的面積大于所述供電部側(cè)的導(dǎo)電層的面積。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的加熱構(gòu)件，其特征在于，

多個(gè)所述通孔在所述多個(gè)導(dǎo)電層中的至少兩層的整個(gè)面上均等地分散配置。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的加熱構(gòu)件，其特征在于，

多個(gè)所述通孔在所述多個(gè)導(dǎo)電層中的至少兩層的整個(gè)面上均等地分散配置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的加熱構(gòu)件，其特征在于，

在從所述厚度方向觀察具有所述通孔的至少兩層導(dǎo)電層時(shí)，各個(gè)導(dǎo)電層的全部通孔的位置配置成不重疊。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的加熱構(gòu)件，其特征在于，

在從所述厚度方向觀察具有所述通孔的至少兩層導(dǎo)電層時(shí)，各個(gè)導(dǎo)電層的全部通孔的位置配置成不重疊。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的加熱構(gòu)件，其特征在于，

在從所述厚度方向觀察具有所述通孔的至少兩層導(dǎo)電層時(shí)，各個(gè)導(dǎo)電層的全部通孔的位置配置成不重疊。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的加熱構(gòu)件，其特征在于，

在從所述厚度方向觀察具有所述通孔的至少兩層導(dǎo)電層時(shí)，各個(gè)導(dǎo)電層的全部通孔的位置配置成不重疊。

10.一種靜電卡盤(pán)，其特征在于，

該靜電卡盤(pán)具有上述權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的加熱構(gòu)件，并且具有埋設(shè)于所述陶瓷基板的吸附用電極。

11.一種陶瓷加熱器，其特征在于，

該陶瓷加熱器具有上述權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的加熱構(gòu)件，并且具有埋設(shè)于所述陶瓷基板的高頻電極。