[發(fā)明專利]一種銅銦鎵硒薄膜發(fā)電玻璃激光刻劃方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610897538.6 | 申請日: | 2016-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN106328728B | 公開(公告)日: | 2017-08-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 彭壽;朱登華;劉小雨;王寶玉 | 申請(專利權)人: | 凱盛光伏材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18;B23K26/362;B23K101/36 |
| 代理公司: | 安徽省蚌埠博源專利商標事務所34113 | 代理人: | 楊晉弘 |
| 地址: | 233010 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 銅銦鎵硒 薄膜 發(fā)電 玻璃 激光 刻劃 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及薄膜發(fā)電玻璃技術領域,具體是一種銅銦鎵硒薄膜發(fā)電玻璃激光刻劃方法。
背景技術
光伏發(fā)電已是當今社會中一種高效地清潔能源利用方式。截止到2015年底,全球累計光伏組件發(fā)電裝機容量達到258.8GW,其中銅銦鎵硒薄膜太陽電池占到了3GW以上,同時年產能超過3GW。在各種已經商業(yè)化的發(fā)電玻璃中,銅銦鎵硒薄膜發(fā)電玻璃因其理論效率高、材料消耗少、生產能耗低等特點逐步擴大了其應用領域,尤其是在柔性襯底和浮法玻璃上制備的薄膜電池,具有抗震性好、效率高和弱光性好等優(yōu)勢,完美的契合了BIPV、屋頂發(fā)電、移動能源以及其他特殊領域等領域對發(fā)電玻璃的要求,在國家日益重視光伏發(fā)電應用的今天,必將得到廣泛的應用。
目前,業(yè)界針對玻璃襯底的銅銦鎵硒薄膜發(fā)電玻璃組件多采用激光和機械刻劃的組合形式進行電池刻劃,它是將薄膜太陽電池不同膜層去除,達到太陽電池內部串聯(lián)的一種有效方式,使太陽電池可以有效集成,達到完全自動化目的。
現(xiàn)階段,幾乎所有銅銦鎵硒薄膜太陽電池廠家都采用組合刻劃工藝,第一道使用1064nm近紅外光激光刻劃,后面兩道工藝采用機械刻劃,或者前面兩道使用1064nm近紅外光激光刻劃, 最后一道采用機械刻劃的組合方式刻劃。其中,機械刻劃在刻劃過程中會產生過多的碎屑,特別是在第二道刻劃過程中尤為明顯,很大程度上影響了最后一層鍍膜質量,從而影響電池的效率;另外,機械刻劃的線寬比較激光刻劃線寬寬很多,增加的死區(qū)的面積,減小了整個電池的有效面積,從而在一定程度上影響了電池的效率。
玻璃襯底的銅銦鎵硒薄膜發(fā)電玻璃所應用的激光設備只能刻蝕第二道,但是在刻劃過程中容易出現(xiàn)很多碎屑,不能獲得較好的刻蝕線;激光刻劃第三道,對激光設備要求非常高,而且生產效率低,目前,只能用機械刻劃取代來形成產業(yè)化。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種銅銦鎵硒薄膜發(fā)電玻璃激光刻劃方法,該方法能夠采用激光對所有劃線工序進行刻劃,無需機械刻劃,改善激光刻蝕效果,增大整個發(fā)電玻璃的有效面積,提高發(fā)電玻璃效率,同時提高工業(yè)生產效率。
本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是:
一種銅銦鎵硒薄膜發(fā)電玻璃激光刻劃方法,包括以下步驟:
S1)在玻璃襯底上生長氮化硅阻擋層;
S2)在氮化硅阻擋層上濺射金屬背電極;
S3)沿刻劃方向分別設置第一激光刻劃系統(tǒng)與第二激光刻劃系統(tǒng),構成并排的雙激光刻劃系統(tǒng);
S4)根據(jù)工藝需求啟動第一激光刻劃系統(tǒng),按刻劃工藝參數(shù)刻劃第一道劃線,將金屬背電極劃開,分隔金屬背電極;
S5)在金屬背電極上生長PN結層;
S6)根據(jù)工藝需求啟動雙激光刻劃系統(tǒng),按刻劃工藝參數(shù)刻劃第二道劃線,將PN結層劃開,提供前后電極相連的通道;第一與第二激光刻劃系統(tǒng)同時同步刻劃,第一激光刻劃系統(tǒng)的重復頻率低于第二激光刻劃系統(tǒng)的重復頻率;
S7)在PN結層上濺射透明導電氧化物薄膜AZO層;
S8)根據(jù)工藝需求啟動雙激光刻劃系統(tǒng),按刻劃工藝參數(shù)刻劃第三道劃線,將透明導電氧化物薄膜AZO層與PN結層劃開,形成內部串聯(lián)結構;第一與第二激光刻劃系統(tǒng)同時同步刻劃,第一激光刻劃系統(tǒng)的重復頻率低于第二激光刻劃系統(tǒng)的重復頻率;第一激光刻劃系統(tǒng)刻劃掉透明導電氧化物薄膜AZO層,并在PN結層形成100~1000nm凹槽,第二激光刻劃系統(tǒng)刻劃掉剩余的PN結層。
本發(fā)明的有益效果是:
一、采用雙激光系統(tǒng)同時刻劃一條線,可以降低每個激光系統(tǒng)的功率以及頻率,能夠提高劃線速度,同時減小碎屑產生率,提高鍍膜效果;
二、采用雙激光系統(tǒng)同時刻劃一條線,取代機械刻劃方式刻劃多層薄膜,降低死區(qū)面積,提高電池有效面積,增加電池效率,提高工業(yè)生產效率;
三、雙激光系統(tǒng)結構簡單,有利于推廣應用。
附圖說明
下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明:
圖1是本發(fā)明的示意圖;
圖2是本發(fā)明中刻劃第一道劃線的示意圖;
圖3是本發(fā)明中刻劃第二道劃線的示意圖;
圖4是本發(fā)明中刻劃第三道劃線的示意圖;
圖5是本發(fā)明中刻劃第二道劃線與傳統(tǒng)刻劃的對比示意圖;
圖6是本發(fā)明中刻劃第三道劃線與傳統(tǒng)刻劃的對比示意圖。
具體實施方式
本發(fā)明提供一種銅銦鎵硒薄膜發(fā)電玻璃激光刻劃方法,包括以下步驟:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





