[發明專利]一種銅銦鎵硒薄膜發電玻璃激光刻劃方法有效

申請號：	201610897538.6	申請日：	2016-10-15
公開（公告）號：	CN106328728B	公開（公告）日：	2017-08-04
發明（設計）人：	彭壽;朱登華;劉小雨;王寶玉	申請（專利權）人：	凱盛光伏材料有限公司
主分類號：	H01L31/0224	分類號：	H01L31/0224;H01L31/18;B23K26/362;B23K101/36
代理公司：	安徽省蚌埠博源專利商標事務所34113	代理人：	楊晉弘
地址：	233010 安徽***	國省代碼：	安徽;34
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種銅銦鎵硒薄膜發電玻璃激光刻劃方法
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【權利要求書】：

1.一種銅銦鎵硒薄膜發電玻璃激光刻劃方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1）在玻璃襯底上生長氮化硅阻擋層；

S2）在氮化硅阻擋層上濺射金屬背電極；

S3）沿刻劃方向分別設置第一激光刻劃系統與第二激光刻劃系統，構成并排的雙激光刻劃系統；

S4）啟動第一激光刻劃系統刻劃第一道劃線，將金屬背電極劃開，分隔金屬背電極；

S5）在金屬背電極上生長PN結層；

S6）啟動雙激光刻劃系統刻劃第二道劃線，將PN結層劃開，提供前后電極相連的通道；第一與第二激光刻劃系統同時同步刻劃，第一激光刻劃系統的重復頻率低于第二激光刻劃系統的重復頻率；

S7）在PN結層上濺射透明導電氧化物薄膜AZO層；

S8）啟動雙激光刻劃系統刻劃第三道劃線，將透明導電氧化物薄膜AZO層與PN結層劃開，形成內部串聯結構；第一與第二激光刻劃系統同時同步刻劃，第一激光刻劃系統的重復頻率低于第二激光刻劃系統的重復頻率；第一激光刻劃系統刻劃掉透明導電氧化物薄膜AZO層，并在PN結層形成100～1000nm凹槽，第二激光刻劃系統刻劃掉剩余的PN結層。

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