[發(fā)明專利]電子裝置及其驅(qū)動方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610892579.6
• 申請日: 2016-10-13
• 公開（公告）號: CN107943353B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 戴亞翔;張君毅;邱韋嘉;蕭培宏
• 申請（專利權(quán)）人: 敦泰電子股份有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種電子裝置，包括：

一第一掃描線、及一第二掃描線；

一第一數(shù)據(jù)線；

一感測線；

一第一晶體管，連接至該第一掃描線及該第一數(shù)據(jù)線；

一像素，具有一像素電極連接至該第一晶體管；

一第二晶體管，連接至該第一掃描線、該像素的一共同電極及該感測線；以及

一充放電裝置，耦合至該第二晶體管、該第二掃描線及該感測線；

其中，當(dāng)該第一掃描線為高電位時，該充放電裝置被充電，當(dāng)該第二掃描線為高電位時，該感測線感測該充放電裝置的電流，以判斷是否有一外物的觸碰或接近。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，該外物的觸碰或接近產(chǎn)生一電容效應(yīng)，該充放電裝置與該外物的觸碰或接近所生成的等效電容產(chǎn)生一電荷分享效應(yīng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子裝置，其中，當(dāng)有該外物的觸碰或接近時，該感測線感測該充放電裝置的電流小于沒有該外物的觸碰或接近時的該充放電裝置的電流。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子裝置，其中，該第一晶體管的柵極連接至該第一掃描線，其漏極連接至該第一數(shù)據(jù)線，其源極連接至該像素的該像素電極，該第二晶體管的柵極連接至該第一掃描線，其漏極連接至該感測線，其源極連接至該像素的該共同電極，該充放電裝置為一電容。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子裝置，其更包含：

一第三晶體管，其柵極及漏極連接至該第一掃描線，其源極連接至該充放電裝置的一第一端；

一第四晶體管，其柵極連接至該第二掃描線，其漏極連接至該像素的該共同電極，其源極連接至該充放電裝置的該第一端；

一第五晶體管，其柵極連接至該充放電裝置的該第一端，其漏極連接至該感測線，其源極連接至該充放電裝置的一第二端；以及

一直流阻隔電容，其第一端連接至該充放電裝置的該第二端，其一第二端連接至該第二掃描線。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子裝置，其中，當(dāng)該第一掃描線為高電位時，該第一晶體管、該第二晶體管、及該第三晶體管導(dǎo)通，該第一數(shù)據(jù)線上的電壓對該充放電裝置充電，該感測線上的電壓通過該第二晶體管而傳遞至該共同電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子裝置，其中，當(dāng)該第二掃描線為高電位時，該第一晶體管、該第二晶體管、及該第三晶體管關(guān)閉，該第四晶體管及該第五晶體管導(dǎo)通，該充放電裝置與該外物的觸碰或接近所生成的等效電容產(chǎn)生一電荷分享效應(yīng)，該充放電裝置的電流通過該第五晶體管而傳輸至該感測線。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子裝置，其中，該第一至第五晶體管為低溫多晶硅晶體管、氧化銦鎵鋅晶體管、或非晶硅晶體管。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子裝置，其更包含：

一第三晶體管，其柵極連接至該充放電裝置的第一端及共同電極，其漏極連接至該感測線；以及

一第四晶體管，其柵極連接至該第二掃描線，其漏極連接至該第三晶體管的一源極，其源極連接至該第二掃描線；

其中，該充放電裝置的一第二端連接至該第二掃描線。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子裝置，其中，當(dāng)該第一掃描線為高電位時，該第一晶體管及該第二晶體管導(dǎo)通，該感測線上的電壓通過該第二晶體管而傳遞至該共同電極，并對該充放電裝置充電。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子裝置，其中，當(dāng)該第二掃描線為高電位時，該第一晶體管及該第二晶體管關(guān)閉，該第三晶體管及該第四晶體管導(dǎo)通，該充放電裝置與該外物的觸碰或接近所生成的等效電容產(chǎn)生一電荷分享效應(yīng)，該充放電裝置的電流通過該第三晶體管而傳輸至該感測線。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子裝置，其中，該第一至第四晶體管為低溫多晶硅晶體管、氧化銦鎵鋅晶體管、或非晶硅晶體管。