[發(fā)明專利]濕膜處理裝置、系統(tǒng)和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610891163.2
• 申請日: 2016-10-13
• 公開（公告）號: CN106654056B
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王兵;杜勇
• 申請（專利權(quán)）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明提供了一種濕膜處理裝置、系統(tǒng)和方法，該濕膜處理裝置包括一密封腔體，該密封腔體包括底部和氣體接入口，底部設(shè)置有至少一個(gè)通孔，用于將通入該氣體接入口的氣體從密封腔體內(nèi)排出至待處理濕膜表面；該濕膜處理裝置還包括一超聲發(fā)生器，該超聲發(fā)生器固定地設(shè)置于密封腔體內(nèi)，該超聲發(fā)生器發(fā)出的超聲振動(dòng)經(jīng)由密封腔體和上述氣體傳遞至待處理濕膜。該濕膜處理裝置解決了現(xiàn)有技術(shù)制作的發(fā)光器件膜層均勻性差的問題，實(shí)現(xiàn)了提高濕膜干燥成膜后膜層的均勻性和提高發(fā)光器件的發(fā)光質(zhì)量的效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種濕膜處理裝置、系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)

QLED(量子點(diǎn)發(fā)光二極管)器件一般包括多層結(jié)構(gòu)，如陰極、電子注入層、電子傳輸層、量子點(diǎn)層、空穴傳輸層、空穴注入層、陽極、以及其他一些功能層，各個(gè)膜層都比較薄，其制作是整個(gè)QLED器件制作的關(guān)鍵步驟，均勻平整的膜層的制備(尤其是量子點(diǎn)膜層的制備)是QLED器件具有良好發(fā)光性能的保障，但實(shí)際在噴墨打印制備的各個(gè)膜層的過程中，常會(huì)出現(xiàn)墨滴在被打印到基板上后分布不均勻的現(xiàn)象，以打印量子點(diǎn)墨水為例，濕膜干燥成膜后量子點(diǎn)層表面常會(huì)出現(xiàn)褶皺、或者出現(xiàn)中間厚邊緣薄的現(xiàn)象，并且由于量子點(diǎn)墨水中的溶劑揮發(fā)速度很快，使得量子點(diǎn)墨水在像素坑中還沒完全鋪展開時(shí)，就已經(jīng)干燥定形，這無疑更加劇了量子點(diǎn)墨水的不均勻程度，同樣的問題也出現(xiàn)于其他膜層的制備中，這些都嚴(yán)重影響了最終QLED器件的發(fā)光質(zhì)量。因此，通過噴墨打印得到的濕膜不均勻問題亟待解決。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種濕膜處理裝置、系統(tǒng)和方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)制作的發(fā)光器件膜層均勻性差的問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種濕膜處理裝置，該濕膜處理裝置包括：一密封腔體，所述密封腔體包括底部和氣體接入口，所述底部設(shè)置有至少一個(gè)通孔，用于將通入所述氣體接入口的氣體從所述密封腔體內(nèi)排出至待處理濕膜表面；一超聲發(fā)生器，所述超聲發(fā)生器固定地設(shè)置于所述密封腔體內(nèi)，所述超聲發(fā)生器發(fā)出的超聲振動(dòng)經(jīng)由所述密封腔體和所述氣體傳遞至所述待處理濕膜。

進(jìn)一步地，所述通孔中的至少一個(gè)還用于將從所述密封腔體排出的所述氣體從所述待處理濕膜所在的空間移除。

進(jìn)一步地，所述濕膜處理裝置內(nèi)還設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)第一抽氣口，用于將從所述密封腔體排出的所述氣體從所述待處理濕膜所在的空間移除。

進(jìn)一步地，所述第一抽氣口設(shè)置于所述濕膜處理裝置的底部。

進(jìn)一步地，所述底部為平面結(jié)構(gòu)，所述第一抽氣口位于所述底部的第一區(qū)域，所述通孔位于所述底部的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域環(huán)繞在所述第二區(qū)域的外側(cè)。

進(jìn)一步地，所述超聲發(fā)生器對應(yīng)設(shè)置于所述底部的通孔的上方。

進(jìn)一步地，所述通孔包括多個(gè)，優(yōu)選所述通孔在所述底部成蜂窩結(jié)構(gòu)排列。

進(jìn)一步地，所述濕膜處理裝置還包括：離子發(fā)生器，設(shè)置于所述密封腔體內(nèi)或與進(jìn)氣管道連接，用于使流經(jīng)所述密封腔體的所述氣體攜帶正和/或負(fù)電荷，其中，所述進(jìn)氣管道與所述氣體接入口連接。

進(jìn)一步地，所述濕膜處理裝置還包括：溶劑儲液裝置，設(shè)置于所述密封腔體內(nèi)或與進(jìn)氣管道連接，用于為所述待處理濕膜提供氣態(tài)溶劑，其中，所述進(jìn)氣管道與所述氣體接入口連接。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種濕膜處理系統(tǒng)，該濕膜處理系統(tǒng)包括：載物平臺，所述載物平臺的上表面用于承載具有待處理濕膜的基板；上述的濕膜處理裝置，設(shè)置于所述載物平臺上的所述待處理濕膜上方位置。

進(jìn)一步地，所述濕膜處理系統(tǒng)為在密封[除了王兵提的都設(shè)置在密封腔體內(nèi)之外，沒有更好地想法，如果要加這個(gè)密封腔體的話，可如下，我認(rèn)為是公知的，沒有必要：