[發明專利]濕膜處理裝置、系統和方法

有效

• 申請號: 201610891163.2
• 申請日: 2016-10-13
• 公開（公告）號: CN106654056B
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發明（設計）人: 王兵;杜勇
• 申請（專利權）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種濕膜處理裝置，其特征在于，包括：

一密封腔體(20)，所述密封腔體(20)包括底部(22)和氣體接入口(21)，所述底部(22)設置有至少一個通孔(221)，用于將通入所述氣體接入口(21)的氣體從所述密封腔體(20)內排出至待處理濕膜表面；

一超聲發生器(40)，所述超聲發生器(40)固定地設置于所述密封腔體(20)內，所述超聲發生器(40)發出的超聲振動經由所述密封腔體(20)和所述氣體傳遞至所述待處理濕膜。

2.根據權利要求1所述的濕膜處理裝置，其特征在于，所述通孔(221)中的至少一個還用于將從所述密封腔體(20)排出的所述氣體從所述待處理濕膜所在的空間移除。

3.根據權利要求1所述的濕膜處理裝置，其特征在于，所述濕膜處理裝置內還設置有一個或多個第一抽氣口(222)，用于將從所述密封腔體(20)排出的所述氣體從所述待處理濕膜所在的空間移除。

4.根據權利要求3所述的濕膜處理裝置，其特征在于，所述第一抽氣口(222)設置于所述濕膜處理裝置的底部(22)。

5.根據權利要求4所述的濕膜處理裝置，其特征在于，所述底部(22)為平面結構，所述第一抽氣口(222)位于所述底部(22)的第一區域(224)，所述通孔(221)位于所述底部(22)的第二區域(225)，所述第一區域(224)環繞在所述第二區域(225)的外側。

6.根據權利要求1所述的濕膜處理裝置，其特征在于，所述超聲發生器(40)對應設置于所述底部(22)的通孔(221)的上方。

7.根據權利要求1所述的濕膜處理裝置，其特征在于，所述通孔(221)包括多個。

8.根據權利要求7所述的濕膜處理裝置，其特征在于，所述通孔(221)在所述底部(22)成蜂窩結構排列。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的濕膜處理裝置，其特征在于，所述濕膜處理裝置還包括：

離子發生器(24)，設置于所述密封腔體(20)內或與進氣管道(211)連接，用于使流經所述密封腔體(20)的所述氣體攜帶正和/或負電荷，其中，所述進氣管道(211)與所述氣體接入口(21)連接。

10.根據權利要求1至8中任一項所述的濕膜處理裝置，其特征在于，所述濕膜處理裝置還包括：

溶劑儲液裝置(26)，設置于所述密封腔體(20)內或與進氣管道(211)連接，用于為所述待處理濕膜提供氣態溶劑，其中，所述進氣管道(211)與所述氣體接入口(21)連接。

11.一種濕膜處理系統，其特征在于，包括：

載物平臺(60)，所述載物平臺(60)的上表面用于承載具有待處理濕膜的基板(62)；

根據權利要求1至10中任一項所述的濕膜處理裝置(100)，設置于所述載物平臺(60)上的所述待處理濕膜(64)上方位置。

12.根據權利要求11所述的濕膜處理系統，其特征在于，所述濕膜處理系統為在密封環境下工作，所述載物臺的第三區域(602)上設置有一個或多個第二抽氣口(223)，其中，所述載物臺表面包括所述第三區域(602)和用于放置所述基板的第四區域(603)。

13.一種濕膜處理方法，其特征在于，包括：

在載物平臺的基板上設置墨水，所述基板上形成待處理濕膜；

對所述待處理濕膜進行氣體吹掃，并在所述待處理濕膜上方以所述氣體為傳遞介質對所述待處理濕膜進行超聲振動處理。