[發(fā)明專利]三維電容及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610888908.X
• 申請日: 2016-10-12
• 公開（公告）號: CN107958895B
• 公開（公告）日: 2019-12-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡志瑋;葉騰豪
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L27/115;H01L27/11578
• 代理公司: 11021 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 周天宇

1.一種3D電容，其特征在于，包括：

多個絕緣條與多個導(dǎo)電條相交錯的多個堆疊；

一第一終端，連接至這些堆疊中一第一組間隔堆疊中的連續(xù)階層的多個導(dǎo)電條；及

一第二終端，連接至這些堆疊中一第二組間隔堆疊中的連續(xù)階層的多個導(dǎo)電條。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3D電容，其特征在于，該第一組間隔堆疊中的堆疊指叉于該第二組間隔堆疊中的堆疊。

3.一種3D電容，其特征在于，包括：

多個絕緣條與多個導(dǎo)電條相交錯的一個或多個堆疊；

多個柱體，分別包含一垂直導(dǎo)電膜與一第一絕緣體；

一第一終端，連接至該一個或多個堆疊中的連續(xù)階層的多個導(dǎo)電條；及

一第二終端，連接至這些柱體中的這些垂直導(dǎo)電膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的3D電容，其特征在于，這些柱體具有錯開或蜂巢狀的配置。

5.一種3D電容，其特征在于，包括：

多個導(dǎo)電條與多個絕緣條相交錯的多個堆疊；

一第一終端，連接至這些堆疊中一個或多個堆疊中的連續(xù)階層的多個導(dǎo)電條；及

一第二終端，絕緣于該第一終端所連接的多個導(dǎo)電條。

6.一種3D電容的制造方法，其特征在于，包括：

形成多個絕緣條與多個導(dǎo)電條相交錯的多個堆疊；

形成該3D電容的一第一終端，該第一終端連接至這些堆疊中一個或多個堆疊中的連續(xù)階層的多個導(dǎo)電條；及

形成該3D電容的一第二終端，該第二終端絕緣于該第一終端所連接的多個導(dǎo)電條。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的3D電容的制造方法，其特征在于，該形成該第二終端包括連接多個堆疊中的連續(xù)階層的多個導(dǎo)電條。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的3D電容的制造方法，其特征在于，該第二終端所連接連續(xù)階層的多個導(dǎo)電條所在的堆疊指叉于包括該第一終端所連接連續(xù)階層的多個導(dǎo)電條的該一個或多個堆疊。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的3D電容的制造方法，其特征在于，該形成該第二終端包含形成多個柱體，這些柱體具有錯開或蜂巢狀的配置。