[發(fā)明專利]顯示裝置及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610887343.3
• 申請(qǐng)日: 2016-10-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106950762A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸崔常;權(quán)成圭;林泰佑
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1345
• 分類號(hào): G02F1/1345;G02F1/1341;G02F1/1333
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng),尹淑梅

1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

基底，包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域；

薄膜晶體管，位于所述基底的所述顯示區(qū)域中；

第一電極，連接到所述薄膜晶體管；

頂層，位于所述第一電極上并且被設(shè)置在所述頂層與所述第一電極之間的微腔與所述第一電極分隔開(kāi)；

液晶層，位于所述微腔內(nèi)部；

包封層，位于所述頂層上；

焊盤部，位于所述基底的所述外圍區(qū)域中；以及

柱狀物，位于所述基底的所述外圍區(qū)域中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括：

絕緣層，位于所述頂層下方，以及

第二電極，位于所述頂層與所述液晶層之間，

其中，所述柱狀物包括由與所述頂層相同的材料制成的第一層，

其中，所述柱狀物還包括由與所述絕緣層相同的材料制成的第二層以及由與所述第二電極相同的材料制成的第三層。

3.一種顯示裝置的制造方法，所述制造方法包括：

在包括顯示區(qū)域、外圍區(qū)域和額外區(qū)域的基底的顯示區(qū)域中形成薄膜晶體管；

形成第一電極以連接到所述薄膜晶體管；

在所述第一電極上形成犧牲層；

在所述犧牲層上形成頂層；

通過(guò)去除所述犧牲層在所述第一電極與所述頂層之間形成微腔；

在所述頂層上形成包封層；

切割位于所述基底的所述顯示區(qū)域與所述外圍區(qū)域之間的邊界上的所述包封層；

切割所述基底的所述外圍區(qū)域與所述額外區(qū)域之間的邊界；以及

去除位于所述基底的所述外圍區(qū)域和所述額外區(qū)域中的所述包封層以及所述基底的所述額外區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，所述制造方法還包括：

在所述基底上形成柵極線；以及

在所述基底上形成數(shù)據(jù)線，

其中，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線連接到所述薄膜晶體管。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，所述制造方法還包括：

在所述基底的所述外圍區(qū)域中形成連接到所述柵極線的柵極焊盤部；以及

在所述基底的所述外圍區(qū)域中形成連接到所述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)焊盤部。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，所述制造方法還包括：

在所述柵極焊盤部和所述數(shù)據(jù)焊盤部上形成所述犧牲層；以及

形成虛設(shè)微腔。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，所述制造方法還包括：

去除所述虛設(shè)微腔；以及

在所述基底的所述外圍區(qū)域中形成柱狀物。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，所述柱狀物包括由與所述頂層相同的材料制成的第一層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，所述制造方法還包括：

在所述犧牲層上形成第二電極；以及

在所述第二電極上形成絕緣層，其中，所述柱狀物還包括：

第二層，位于所述第一層下方并且由與所述絕緣層相同的材料制成，以及

第三層，位于所述第二層下方并且由與所述第二電極相同的材料制成。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，所述制造方法還包括：

形成第二電極；

形成設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間的層間絕緣層；以及

在所述犧牲層上形成絕緣層；

其中，所述柱狀物還包括：

第二層，位于所述第一層下方并且由與所述絕緣層相同的材料制成。