[發明專利]圖像傳感器有效
| 申請號: | 201610886029.3 | 申請日: | 2016-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN107017270B | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發明(設計)人: | 鄭榮友 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 王新華 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 | ||
本公開提供了一種圖像傳感器。該圖像傳感器包括基板,基板進一步包括傳感器陣列和在基板的表面上的散熱層。散熱層可以包括人造金剛石層、石墨烯層和類金剛石碳(DLC)層中的一個或多個。散熱層能夠使熱在傳感器陣列的至少一部分基本上均勻地分布。這樣的基本上均勻的熱分布能夠在傳感器陣列的該部分上使暗電流基本上均勻,從而在傳感器陣列的該部分中減少暗陰影的概率。傳感器陣列的該部分可以包括有源像素傳感器區域。傳感器陣列的該部分可以包括光學黑傳感器區域。
技術領域
本發明構思涉及圖像傳感器及其制造方法,更具體地,涉及背照式(backside-illumination type)圖像傳感器及其制造方法。
背景技術
圖像傳感器可以將光學圖像信號轉變成電信號。圖像傳感器可以包括有源像素傳感器區域和電路區域。有源像素傳感器區域可以接收入射光并將入射光轉變成電信號。電路區域可以將期望的(或可選地,預定的)信號提供到有源像素傳感器區域的每個單元像素或者控制每個單元像素的輸出信號。當熱在電路區域的運行期間產生時,暗電流可能在有源像素傳感器區域的接近電路區域的部分中產生,并且圖像傳感器的分辨率會降低。
發明內容
本發明構思提供一種圖像傳感器,暗電流可以通過該圖像傳感器減小并均勻,在整個有源像素傳感器區域中可以獲得優良的分辨率。
本發明構思還提供制造該圖像傳感器的方法。
根據本發明構思的某些示例實施方式,一種圖像傳感器可以包括第一基板、微透鏡、多層互連結構和散熱層。第一基板可以包括第一表面和第二表面。第一表面和第二表面可以是第一基板的相反的表面。第一基板還可以包括有源像素傳感器區域。有源像素傳感器區域可以包括光電轉換區域。微透鏡可以在第一表面上。多層互連結構可以在第二表面上。散熱層可以在第一表面和/或第二表面上。散熱層可以包括人造金剛石層、石墨烯層和類金剛石碳(DLC)層中的至少一個。
根據本發明構思的某些示例實施方式,一種圖像傳感器可以包括第一基板、微透鏡、多層互連結構和散熱層。第一基板可以包括第一表面和第二表面。第一表面和第二表面可以是第一基板的相反的表面。第一基板可以包括有源像素傳感器區域。有源像素傳感器區域可以包括光電轉換區域。微透鏡可以在第一表面上。多層互連結構可以在第二表面上。散熱層可以在第一表面和/或第二表面上。散熱層可以垂直地交疊有源像素傳感器區域的整個區域。
根據本發明構思的某些示例實施方式,一種制造圖像傳感器的方法可以包括:在第一基板上形成有源像素傳感器區域;在有源像素傳感器區域上形成散熱層;以及在散熱層上形成微透鏡。有源像素傳感器區域可以包括光電轉換區域。散熱層可以包括人造金剛石層、石墨烯層和類金剛石碳(DLC)層中的至少一個。
根據本發明構思的某些示例實施方式,一種圖像傳感器可以包括基板和在基板的表面上的散熱層。基板可以包括傳感器陣列和多個電路。傳感器陣列可以包括多個單元像素。每個單元像素可以包括光電轉換區域。每個單元像素可以配置為產生電輸出信號。多個電路可以配置為產生驅動信號以驅動多個單元像素中的一個或多個單元像素并接收由該多個單元像素中的一個或多個單元像素產生的電輸出信號。散熱層可以配置為跨過多個單元像素的至少一部分基本上均勻地分布由多個電路中的至少一個電路產生的熱。
附圖說明
從本發明構思的非限制性實施方式的更具體的描述,本發明構思的以上和其它的特征將變得明顯,如附圖所示,其中相同的附圖標記在不同的附圖中始終表示相同的部件。附圖不必按比例,而是重點在于示出本發明構思的原理。在附圖中:
圖1是根據某些示例實施方式的圖像傳感器的示意性平面圖;
圖2是根據某些示例實施方式的圖像傳感器的某些元件的方框圖;
圖3是圖1的傳感器陣列區域中的傳感器陣列中包括的單元像素的等效電路圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





