[發(fā)明專利]電子封裝件及其制法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610885315.8 | 申請日: | 2016-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN107808869A | 公開(公告)日: | 2018-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 程呂義;呂長倫 | 申請(專利權(quán))人: | 矽品精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11314 | 代理人: | 程偉,王錦陽 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 封裝 及其 制法 | ||
1.一種電子封裝件,其特征為,該電子封裝件包括:
無核心層式線路結(jié)構(gòu),其具有相對的第一表面與第二表面;
中介板,其結(jié)合至該無核心層式線路結(jié)構(gòu)的第一表面上;
電子元件,其設(shè)于該中介板上;以及
封裝層,其形成于該無核心層式線路結(jié)構(gòu)的第一表面上,以包覆該中介板與該電子元件。
2.如權(quán)利要求1所述的電子封裝件,其特征為,該無核心層式線路結(jié)構(gòu)包含有介電層及形成于該介電層上的線路層。
3.如權(quán)利要求2所述的電子封裝件,其特征為,該線路層的數(shù)量為二層至四層。
4.如權(quán)利要求1所述的電子封裝件,其特征為,該無核心層式線路結(jié)構(gòu)的厚度至多為50微米(μm)。
5.如權(quán)利要求1所述的電子封裝件,其特征為,該中介板具有相對的置晶側(cè)與轉(zhuǎn)接側(cè)、及連通該置晶側(cè)與轉(zhuǎn)接側(cè)的導(dǎo)電穿孔,且該電子元件設(shè)于該置晶側(cè)上,并以該轉(zhuǎn)接側(cè)結(jié)合至該無核心層式線路結(jié)構(gòu)上。
6.如權(quán)利要求1所述的電子封裝件,其特征為,該電子元件為主動(dòng)元件、被動(dòng)元件或其二者組合。
7.如權(quán)利要求1所述的電子封裝件,其特征為,該電子封裝件包括設(shè)于該無核心層式線路結(jié)構(gòu)上的電子配件。
8.如權(quán)利要求7所述的電子封裝件,其特征為,該電子配件為主動(dòng)元件、被動(dòng)元件或其二者組合。
9.如權(quán)利要求1所述的電子封裝件,其特征為,該電子封裝件還包括形成于該無核心層式線路結(jié)構(gòu)的第二表面上的多個(gè)導(dǎo)電元件。
10.如權(quán)利要求1所述的電子封裝件,其特征為,該電子封裝件還包括形成于該封裝層上的金屬元件。
11.一種電子封裝件的制法,其特征為,該制法包括:
提供一無核心層式線路結(jié)構(gòu)與至少一電子組件,其中,該無核心層式線路結(jié)構(gòu)具有相對的第一表面與第二表面,且該電子組件包含中介板、及設(shè)于該中介板上的電子元件;
將該電子組件以該中介板結(jié)合至該無核心層式線路結(jié)構(gòu)的第一表面上;以及
形成封裝層于該無核心層式線路結(jié)構(gòu)的第一表面上,以包覆該電子組件。
12.如權(quán)利要求11所述的電子封裝件的制法,其特征為,該無核心層式線路結(jié)構(gòu)包含有介電層及形成于該介電層上的線路層。
13.如權(quán)利要求12所述的電子封裝件的制法,其特征為,該線路層的數(shù)量為二至四層。
14.如權(quán)利要求11所述的電子封裝件的制法,其特征為,該無核心層式線路結(jié)構(gòu)的厚度至多為50微米(μm)。
15.如權(quán)利要求11所述的電子封裝件的制法,其特征為,該中介板具有相對的置晶側(cè)與轉(zhuǎn)接側(cè)、及連通該置晶側(cè)與轉(zhuǎn)接側(cè)的導(dǎo)電穿孔,且該電子元件設(shè)于該置晶側(cè)上,并以該轉(zhuǎn)接側(cè)結(jié)合至該無核心層式線路結(jié)構(gòu)上。
16.如權(quán)利要求11所述的電子封裝件的制法,其特征為,該電子元件為主動(dòng)元件、被動(dòng)元件或其二者組合。
17.如權(quán)利要求11所述的電子封裝件的制法,其特征為,該制法還包括設(shè)置電子配件于該無核心層式線路結(jié)構(gòu)上。
18.如權(quán)利要求17所述的電子封裝件的制法,其特征為,該電子配件為主動(dòng)元件、被動(dòng)元件或其二者組合。
19.如權(quán)利要求11所述的電子封裝件的制法,其特征為,該制法還包括形成多個(gè)導(dǎo)電元件于該無核心層式線路結(jié)構(gòu)的第二表面上。
20.如權(quán)利要求11所述的電子封裝件的制法,其特征為,該制法還包括形成金屬元件于該封裝層上。
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