[發(fā)明專利]集成電路器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610884035.5
• 申請日: 2016-10-10
• 公開（公告）號: CN106847812B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 卓容奭;樸起寬;李泰宗;具本榮;樸起演;崔成賢
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種集成電路器件，包括：

鰭型有源區(qū)域，在豎直方向上從基板突出并具有在第一水平面處的上表面；

納米片，平行于所述鰭型有源區(qū)域的所述上表面延伸并包括溝道區(qū)域，所述納米片位于與所述鰭型有源區(qū)域的所述上表面間隔開的第二水平面處；

柵極，設(shè)置在所述鰭型有源區(qū)域上并圍繞所述納米片的至少一部分，所述柵極在交叉所述鰭型有源區(qū)域的方向上延伸；

柵極介電層，設(shè)置在所述納米片和所述柵極之間；

源極和漏極區(qū)域，形成在所述鰭型有源區(qū)域上并連接到所述納米片的一端；

第一絕緣間隔物，在所述納米片上，所述第一絕緣間隔物覆蓋所述柵極的側(cè)壁；以及

第二絕緣間隔物，設(shè)置在所述柵極與所述源極和漏極區(qū)域之間且在所述鰭型有源區(qū)域的所述上表面和所述納米片之間的空間中，所述第二絕緣間隔物具有至少三層結(jié)構(gòu)并在所述豎直方向上不與所述源極和漏極區(qū)域重疊。

2.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，

其中所述柵極包括覆蓋所述納米片的上表面的主柵極部分和連接到所述主柵極部分且形成在所述鰭型有源區(qū)域和所述納米片之間的空間中的子?xùn)艠O部分，

其中所述第一絕緣間隔物覆蓋所述主柵極部分的側(cè)壁，并且

其中所述第二絕緣間隔物覆蓋所述子?xùn)艠O部分的側(cè)壁。

3.如權(quán)利要求2所述的集成電路器件，其中所述納米片形成在所述鰭型有源區(qū)域和所述柵極之間的空間中的由所述柵極覆蓋的重疊區(qū)域中，并具有比所述重疊區(qū)域的平面面積大的平面面積。

4.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述第一絕緣間隔物和所述第二絕緣間隔物包括不同的材料。

5.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述三層結(jié)構(gòu)包括空氣間隔。

6.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述第二絕緣間隔物包括：

第一襯層，具有面對所述柵極和所述納米片的表面，并包括不包含氧的第一絕緣材料；

第二襯層，與所述柵極和所述納米片間隔開并包括與所述第一絕緣材料不同的第二絕緣材料，其中所述第一襯層在所述第二襯層和所述柵極之間以及在所述第二襯層和所述納米片之間；以及

空氣間隔，至少由所述第二襯層限定。

7.如權(quán)利要求6所述的集成電路器件，其中所述第二絕緣間隔物還包括與所述第二襯層一起限定所述空氣間隔的部分埋入層。

8.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述第二絕緣間隔物包括：

第一襯層，具有面對所述柵極和所述納米片的表面并包括不包含氧的第一絕緣材料；

第二襯層，與所述柵極和所述納米片間隔開并包括與所述第一絕緣材料不同的第二絕緣材料，其中所述第一襯層在所述第二襯層和所述柵極之間以及在所述第二襯層和所述納米片之間；以及

埋入層，填充由所述第二襯層限定的空間的至少一部分并包括與所述第二絕緣材料不同的第三絕緣材料。

9.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述第二絕緣間隔物包括：

第一襯層，包括SiN、SiCN和SiBN之一；以及

第二襯層，與所述柵極和所述納米片間隔開并包括SiON、SiOCN和SiBCN之一，其中所述第一襯層在所述第二襯層和所述柵極之間以及在所述第二襯層和所述納米片之間。

10.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述第二絕緣間隔物包括：

第一襯層，包括不包含氧的第一絕緣材料；和

第二襯層，具有與所述第一絕緣材料的成分不同的成分并具有在從0至50原子％的范圍內(nèi)的氧含量。

11.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述第二絕緣間隔物包括空氣間隔、SiN、SiCN、SiBN、SiON、SiOCN、SiBCN、SiOC和SiO₂中的至少一種。