[發明專利]雙載子結晶體管

在審

• 申請號: 201610883072.4
• 申請日: 2016-10-10
• 公開（公告）號: CN107346784A
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 詹景琳;林正基;簡郁芩
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/73
• 分類號: H01L29/73;H01L29/417;H01L29/423
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 任巖

1.一種雙載子結晶體管，包括：

一基底；

一第一阱區，設置于該基底中；

一第二阱區，設置該第一阱區中；

一射極，設置于該第二阱區中；

一集極，設置于該第一阱區中；

一基極，設置于該第二阱區中，且位于該射極與該集極之間；

一第一硬掩膜層，設置于該射極與該基極之間的該基底上；以及

一第二硬掩膜層，設置于該基極與該集極之間的該基底上，其中

該第一阱區、該射極與該集極為一第一導電型，且該第二阱區與該基極為一第二導電型。

2.根據權利要求1所述的雙載子結晶體管，其中該基極為環狀，且圍繞該射極。

3.根據權利要求1所述的雙載子結晶體管，其中該集極為環狀，且圍繞該基極。

4.根據權利要求1所述的雙載子結晶體管，其中該第一硬掩膜層為環狀，且圍繞該射極。

5.根據權利要求1所述的雙載子結晶體管，其中該第二硬掩膜層為環狀，且圍繞該基極。

6.根據權利要求1所述的雙載子結晶體管，其中該第一硬掩膜層與該第二硬掩膜層的材料分別包括經摻雜或未經摻雜的多晶硅或金屬硅化物。

7.根據權利要求1所述的雙載子結晶體管，其中該第一硬掩膜層的寬度與該第二硬掩膜層的寬度為相同或不同。

8.根據權利要求1所述的雙載子結晶體管，其中該第一導電型與該第二導電型中的一者為N型導電型，且該第一導電型與該第二導電型中的另一者為P型導電型。

9.根據權利要求1所述的雙載子結晶體管，更包括一隔離結構，設置于該集極遠離該第二硬掩膜層的一側的該基底中。

10.根據權利要求1所述的雙載子結晶體管，其中該隔離結構為環狀，且圍繞該集極。