[發(fā)明專利]雙載子結(jié)晶體管在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610883072.4 | 申請日： | 2016-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN107346784A | 公開（公告）日： | 2017-11-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 詹景琳;林正基;簡郁芩 | 申請（專利權(quán)）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/73 | 分類號： | H01L29/73;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 雙載子 結(jié)晶體 | ||
1.一種雙載子結(jié)晶體管，包括：
一基底；
一第一阱區(qū)，設(shè)置于該基底中；
一第二阱區(qū)，設(shè)置該第一阱區(qū)中；
一射極，設(shè)置于該第二阱區(qū)中；
一集極，設(shè)置于該第一阱區(qū)中；
一基極，設(shè)置于該第二阱區(qū)中，且位于該射極與該集極之間；
一第一硬掩膜層，設(shè)置于該射極與該基極之間的該基底上；以及
一第二硬掩膜層，設(shè)置于該基極與該集極之間的該基底上，其中
該第一阱區(qū)、該射極與該集極為一第一導(dǎo)電型，且該第二阱區(qū)與該基極為一第二導(dǎo)電型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙載子結(jié)晶體管，其中該基極為環(huán)狀，且圍繞該射極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙載子結(jié)晶體管，其中該集極為環(huán)狀，且圍繞該基極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙載子結(jié)晶體管，其中該第一硬掩膜層為環(huán)狀，且圍繞該射極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙載子結(jié)晶體管，其中該第二硬掩膜層為環(huán)狀，且圍繞該基極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙載子結(jié)晶體管，其中該第一硬掩膜層與該第二硬掩膜層的材料分別包括經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的多晶硅或金屬硅化物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙載子結(jié)晶體管，其中該第一硬掩膜層的寬度與該第二硬掩膜層的寬度為相同或不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙載子結(jié)晶體管，其中該第一導(dǎo)電型與該第二導(dǎo)電型中的一者為N型導(dǎo)電型，且該第一導(dǎo)電型與該第二導(dǎo)電型中的另一者為P型導(dǎo)電型。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙載子結(jié)晶體管，更包括一隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該集極遠(yuǎn)離該第二硬掩膜層的一側(cè)的該基底中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙載子結(jié)晶體管，其中該隔離結(jié)構(gòu)為環(huán)狀，且圍繞該集極。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
