[發(fā)明專利]存儲器元件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610879742.5
• 申請日: 2016-10-09
• 公開（公告）號: CN107293550B
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發(fā)明（設計）人: 陳士弘
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11556
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 喬東峰

1.一種存儲器元件，包括：

一NAND串行陣列，位于多條位線下方，所述位線沿著一位線方向延伸；

多條串行選擇線和多條字線，包括建構(gòu)于多個導電層中的多個導電條帶；

一第一分頁，包括該NAND串行陣列中的多條NAND串行，延伸穿過所述導電層，耦接至所述串行選擇線中的一第一串行選擇線；該第一分頁中的所述NAND串行設置在一第一網(wǎng)格(grid)之中，該第一網(wǎng)格相對于該位線方向偏離了一偏離角度(off-angle)；且所述串行選擇線的所述導電條帶分別具有至少一彎曲側(cè)邊(curved sides)。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，所述字線的所述導電條帶分別具有至少一彎曲側(cè)邊。

3.如權(quán)利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，該NAND串行陣列中的所述NAND串行具有多個接地選擇開關(guān)，所述接地選擇開關(guān)包括多個導電條帶位于所述導電層中，且所述接地選擇開關(guān)中的所述導電條帶分別具有至少一彎曲的側(cè)邊。

4.如權(quán)利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，還包括一第二分頁耦接至所述串行選擇線中的一第二串行選擇線，該第二串行選擇線與該第一串行選擇線鄰接，且包含多個導電條帶分別具有至少一彎曲側(cè)邊；

所述位線疊置于該第一分頁和該第二分頁之上，并且彼此之間具一位線間距(bitline pitch)，每一所述位線分別只與該第一分頁和該第二分頁中的一對應的NAND串行連接；

其中，該第二分頁包括一第二網(wǎng)格，且該第一網(wǎng)格和該第二網(wǎng)格二者皆為一規(guī)律網(wǎng)格；每一所述規(guī)律網(wǎng)格具有一第一橫向維度(lateral dimensions)和一第二橫向維度，分別相對于該位線方向旋轉(zhuǎn)一銳角偏離角度和一鈍角偏離角度；并分別在該第一橫向維度和該第二橫向維度上具有一第一橫向間距和一第二橫向間距，且該位線間距小于該第二橫向間距；

其中，該第一分頁包括一第一外緣NAND串行子集，配置于一第一波浪線上，該第一波浪線因該偏離角度而與該位線方向交叉；該第一串行選擇線的所述導電條帶的所述彎曲側(cè)邊的集合為一第一側(cè)邊，位于該第一串行選擇線和該第二串行選擇線之間，并順著該第一波浪線延伸；以及

其中，該第二分頁包括一第二外緣NAND串行子集，配置于一第二波浪線上，該第二波浪線因該偏離角度而與該位線方向交叉；該第二串行選擇線的所述導電條帶的所述彎曲側(cè)邊的集合為一第二側(cè)邊，位于該第一串行選擇線和該第二串行選擇線之間，并順著該第二波浪線延伸。

5.如權(quán)利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，還包括一第二分頁包括該NAND串行陣列中的多條NAND串行，設置在一第二網(wǎng)格之中，該第二網(wǎng)格鄰接該第一網(wǎng)格；

其中該第一網(wǎng)格包括一第一外緣NAND串行子集，配置于一第一波浪線上，該第一波浪線具有至少一波峰(crest)和一波谷(trough)相對于垂直該位線方向的一第一直線；以及包括一第二外緣NAND串行子集，配置于一第二波浪線上，該第二波浪線具有至少一波峰和至少一波谷相對于垂直該位線方向的一第二直線；

該第二網(wǎng)格包括一第二外緣NAND串行子集，配置于一第三波浪線上，該第三波浪線位于該第二網(wǎng)格的一側(cè)邊，且具有至少一波峰和至少一波谷相對于垂直該位線方向的一第三直線；以及包括一第四外緣NAND串行子集，配置于一第四波浪線上，該第四波浪線具有至少一波峰和至少一波谷相對于垂直該位線方向的一第四直線；以及

其中，該第一分頁中位于該第一波浪線上的該波峰上的一NAND串行，連接至所述位線中的一特定位線；且該第二分頁中位于該第三波浪線上的該波峰上的一NAND串行，連接至該特定位線。