[發明專利]顯示設備

在審

• 申請號: 201610878503.8
• 申請日: 2016-10-09
• 公開（公告）號: CN107275334A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 李冠鋒
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 任巖

技術領域

本發明的主要目的是在提供一種顯示設備，尤指一種同時包含有低溫多晶硅薄膜晶體管單元及金屬氧化物薄膜晶體管單元的顯示設備。

背景技術

隨著顯示器技術不斷進步，所有的顯示面板均朝體積小、厚度薄、重量輕等趨勢發展，故目前市面上主流的顯示器裝置已由以往的陰極射線管發展成薄型顯示器，如液晶顯示面板、有機發光二極管顯示面板或無機發光二極管顯示面板等。其中，薄型顯示器可應用的領域相當多，舉凡日常生活中使用的手機、筆記本電腦、攝影機、照相機、音樂播放器、移動導航裝置、電視等顯示面板，大多數均使用該些顯示面板。

雖然液晶顯示設備或有機發光二極管顯示設備已為市面上常見的顯示設備，特別是液晶顯示設備的技術更是相當成熟，但隨著顯示設備不斷發展且消費者對顯示設備的顯示質量要求日趨提高，各家廠商無不極力發展出具有更高顯示質量的顯示設備。

顯示區上的薄膜晶體管結構，可以是具有高載子移動率特性的多晶硅薄膜晶體管，或者是具有低漏電特性的金屬氧化物薄膜晶體管，目前的顯示器仍無法結合該兩種晶體管，其是因為兩者的工藝會相互影響，造成顯示設備整體的工藝復雜化(例如：需更多次化學氣相沉積工藝)。有鑒于此，目前仍需針對顯示區與柵極驅動電路區域的薄膜晶體管組件結構進行改進，以在具有良好薄膜晶體管組件特性下，簡化兩者的工藝及結構。此外目前使用的低溫多晶硅薄膜晶體管具有漏電流的缺點，因此仍須對低溫多晶硅薄膜晶體管的結構做出改進，以改善漏電流的情況使得所制得的低溫多晶硅薄膜晶體管的效率得以提高。

發明內容

本發明的主要目的是在提供一種顯示設備，其同時包含有低溫多晶硅薄膜晶體管單元及金屬氧化物薄膜晶體管單元。

于本發明的一實施例中，顯示設備可包括：一基板；一第一薄膜晶體管單元，設置于該基板上且包括：一第一有源層，其中該第一有源層包含一硅層，該第一有源層包括一溝道區、一源極區和一漏極區，其中該溝道區位于該源極區和該漏極區之間，該硅層于該溝道區的厚度小于該硅層于該源極區或該漏極區的厚度；一第二薄膜晶體管單元，設置于該基板上且包括：一第二有源層，該第二有源層包含一金屬氧化物層；一第一絕緣層，位于該第一有源層及該第二有源層上；以及一顯示介質，位于該基板上。

由前述可知，本發明的顯示設備同時包括第一有源層包含有多晶硅層的第一薄膜晶體管單元及第二有源層為金屬氧化物層的第二薄膜晶體管單元。特別是第一薄膜晶體管單元的第一有源層包含有多晶硅層以及具有摻雜區以及非摻雜區的非晶硅層，該非摻雜區是設置在該多晶硅層和該摻雜區之間，如此設置使得所制得的第一有源層包含有多晶硅層的第一薄膜晶體管單元具有抗漏電的功效。

附圖說明

圖1A至圖1E是本發明實施例1的顯示設備的基板上組件的制作流程剖面示意圖。

圖1F是本發明實施例1的顯示設備的剖面示意圖。

圖2A至圖2D是本發明實施例2的顯示設備的基板上組件的制作流程剖面示意圖。

圖3A至圖3F是本發明實施例3的顯示設備的基板上組件的制作流程剖面示意圖。

圖4是本發明實施例4的顯示設備的基板上組件的剖面示意圖。

圖5是本發明實施例5的顯示設備的基板上組件的剖面示意圖。

圖6是本發明實施例6的顯示設備的基板上組件的剖面示意圖。

圖7A至圖7C是本發明其他實施例1的顯示設備的基板上組件的剖面示意圖。

圖8是本發明其他實施例2的顯示設備的基板上組件的剖面示意圖。

【符號說明】

AA顯示區B外圍區

2 第二基板3顯示介質層

11基板12 緩沖層

14非晶硅層141多晶硅層

16非晶硅層161非摻雜區

162 摻雜區131第一柵極絕緣層

132 第二柵極絕緣層142第二有源層

121 第一柵極122第二柵極

151 第一絕緣層152第二絕緣層

153 第三絕緣層154第四絕緣層

171 第一源極172第一漏極

173 第二源極174第二漏極

181 第一屏蔽層182第二屏蔽層

15底絕緣層171a，172a，173a，174a接觸孔

15’ 頂絕緣層15a，131a，153a開口

D 漏極區S源極區

AA顯示區C溝道區