[發明專利]顯示設備

在審

• 申請號: 201610878503.8
• 申請日: 2016-10-09
• 公開（公告）號: CN107275334A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 李冠鋒
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 任巖

1.一種顯示設備，其特征在于，包括：

一基板；

一第一薄膜晶體管單元，設置于該基板上包括：

一第一有源層，其中該第一有源層包含一硅層；該第一有源層包括一溝道區、一源極區和一漏極區，其中該溝道區位于該源極區和該漏極區之間，該硅層于該溝道區的厚度小于該硅層于該源極區或該漏極區的厚度；

一第二薄膜晶體管單元，設置于該基板上且包括：

一第二有源層，該第二有源層包含一金屬氧化物層；

一第一絕緣層，位于該第一有源層及該第二有源層上；以及

一顯示介質，位于該基板上。

2.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，其中該硅層包含一多晶硅層及一非晶硅層，且該多晶硅層設于該基板與該非晶硅層間。

3.如權利要求2所述的顯示設備，其特征在于，其中該非晶硅層包括一摻雜區及一非摻雜區，該非摻雜區及該摻雜區依序迭設于該多晶硅層上且設于該源極區及該漏極區中。

4.如權利要求3所述的顯示設備，其特征在于，其中該非摻雜區還設于該溝道區中，且該非摻雜區于該溝道區的厚度小于或等于該非摻雜區于該源極區及該漏極區的厚度。

5.如權利要求2所述的顯示設備，其特征在于，該第一薄膜晶體管單元還包含一源極和一漏極，其中該源極區與該源極接觸，該漏極區與該漏極接觸，其中該多晶硅層在該源極區與該多晶硅層在該漏極區于基板上的投影面積不同。

6.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，包括一顯示區及一外圍區，該外圍區位于該顯示區外且與該顯示區相鄰設置，其中該第一薄膜晶體管單元設于該外圍區中，而該第二薄膜晶體管單元設于該顯示區中。

7.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，包括一顯示區及一外圍區，該外圍區位于該顯示區外且與該顯示區相鄰設置，其中該第一薄膜電晶與該第二薄膜晶體管單元設于該顯示區中。

8.如權利要求7所述的顯示設備，其特征在于，其中該顯示區包括多個像素，該第一薄膜晶體管單元與該第二薄膜晶體管單元設于同一像素中。

9.如權利要求7所述的顯示設備，其特征在于，其中該顯示區包括多個像素，該第一薄膜晶體管單元與該第二薄膜晶體管單元設于相鄰像素中。

10.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，該第一薄膜晶體管單元還包含一第一柵極與該第一有源層對應，其中該第一柵極包括一金屬氧化物。

11.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，該第一絕緣層的材料為氮化硅并且該第一絕緣層具有一開口對應第二有源層。

12.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，還包括一第一屏蔽層、一第二屏蔽層及一緩沖層，其中該緩沖層設置于該第一有源層和基板之間，該第一屏蔽層、該第二屏蔽層設于該基板與該緩沖層間，且該第一有源層及該第二有源層分別與該第一屏蔽層與第二屏蔽層重迭。

13.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，該第二薄膜晶體管單元還包含一第二柵極與該第二有源層對應，其中該第二柵極包括一硅層。

14.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，該第一薄膜晶體管單元還包含一第一柵極，該第一柵極設置于該第一有源層上。

15.如權利要求13所述的顯示設備，其特征在于，還包括一第二絕緣層設置于該第一絕緣層上，該第一絕緣層的材料為氧化硅，該第二絕緣層為氮化硅，其中，該第一絕緣層具有一開口對應該第一柵極，并且該第一柵極與第二絕緣層接觸。

16.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，該第二薄膜晶體管單元還包含一第二柵極，該第二柵極設置于該第二有源層下。