[發明專利]半導體工藝模擬裝置及方法以及計算裝置

有效

• 申請號: 201610878494.2
• 申請日: 2016-10-08
• 公開（公告）號: CN106599336B
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 張誠桓;金成瞮;都支星;李元錫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;劉燦強

提供了一種半導體工藝模擬裝置、一種半導體工藝模擬方法和一種執行半導體工藝模擬的計算裝置。所述半導體工藝模擬方法包括：基于退火模擬將半導體工藝模擬劃分成多個塊；執行與從多個塊中選擇的塊對應的形狀模擬；以及基于與選擇的塊對應的形狀模擬的結果數據，并行地執行與選擇的塊對應的多個離子注入模擬中的至少兩個離子注入模擬。

本申請要求于2015年10月16日在韓國知識產權局提交的第10-2015-0144842號韓國專利申請的優先權，該申請的所有內容通過引用包含于此。

技術領域

本公開的實施例涉及一種半導體裝置，具體地，涉及一種模擬半導體工藝的裝置及其模擬方法。

背景技術

隨著半導體裝置的高度集成化和小型化，對基于物理模擬的半導體工藝模擬的需求正在增加，以克服半導體工藝和裝置的限制并降低測試成本。

傳統的半導體進度模擬是根據半導體進度順序進行的。出于此原因，基于一個或更多個先前步驟的結果信息來進行半導體進度模擬的每個步驟的計算。由于模擬步驟根據實際的半導體工藝順序來進展，因此，執行半導體工藝模擬所花費的總時間與步驟的模擬時間的總和相同。

然而，隨著半導體裝置變得更加高度集成化和小型化，使用上述半導體工藝模擬方法執行模擬操作所花費的時間量正在逐漸地增加。因此，需要一種能夠縮短模擬時間的半導體工藝模擬方法和裝置。

發明內容

本公開的實施例提供了一種能夠縮短模擬時間的半導體工藝模擬裝置及其模擬方法。

本公開的實施例的一方面提供了一種半導體工藝模擬方法。該方法可以包括：基于退火模擬將半導體工藝模擬劃分成多個塊；執行與從多個塊中選擇的塊對應的形狀模擬；以及基于與選擇的塊對應的形狀模擬的結果數據，并行地執行與選擇的塊對應的多個離子注入模擬中的至少兩個離子注入模擬。

本公開的實施例的另一方面涉及提供一種半導體工藝模擬裝置，所述半導體工藝模擬裝置包括：輸入數據庫，被配置為存儲執行半導體工藝模擬所需要的輸入數據。輸出數據庫被配置為存儲用于半導體工藝模擬的執行結果的輸出數據。工藝模擬器被配置為使用輸入數據庫和輸出數據庫來執行半導體工藝模擬。工藝模擬器可以基于退火模擬將半導體工藝模擬分成多個塊，并可以并行地執行與塊對應的多個離子注入模擬中的至少兩個。

本公開的實施例的又一方面涉及提供一種執行半導體工藝模擬的計算裝置。計算裝置可以包括：輸入裝置，被配置為接收用于半導體工藝模擬的輸入數據。輸出裝置被配置為接收半導體工藝模擬的結果數據。存儲器被配置為存儲用于半導體工藝模擬的程序例程；處理器連接到輸入裝置、輸出裝置和存儲器，并被配置為控制程序例程。存儲在存儲器中的程序例程可以并行地執行包括在半導體工藝模擬中的多個離子注入模擬中的至少兩個離子注入模擬。

本公開的實施例的另一方面涉及提供一種半導體工藝模擬方法。該方法包括：基于退火模擬將半導體工藝模擬劃分成一系列的塊；對于所述一系列的塊中的選擇的一個，確定可靠性依賴于從執行第二離子注入模擬獲取的信息的第一離子注入模擬；并行地執行第二離子注入模擬和第三離子注入模擬；以及使用從執行第二離子注入模擬獲取的信息來執行第一離子注入模擬。

附圖說明

通過參照下面的附圖進行的以下描述，上面以及其它對象和特征將變得明顯，其中，除非另外指明，否則貫穿各個附圖，同樣的附圖標號指同樣的部件，在附圖中：

圖1是示出根據本公開的實施例的模擬裝置的框圖；

圖2至圖4是示出在根據本公開的實施例的半導體工藝模擬下的半導體裝置的剖視圖；

圖5是用于描述根據本公開的實施例的模擬方法的流程圖；

圖6和圖7是示出根據本公開的實施例的模擬方法和傳統的模擬方法的圖；

圖8是示出根據本公開的另一實施例的模擬裝置的框圖；