[發明專利]半導體工藝模擬裝置及方法以及計算裝置

有效

• 申請號: 201610878494.2
• 申請日: 2016-10-08
• 公開（公告）號: CN106599336B
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 張誠桓;金成瞮;都支星;李元錫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;劉燦強

1.一種半導體工藝模擬方法，所述半導體工藝模擬方法包括：

基于退火模擬，將半導體工藝模擬劃分成多個塊；

執行與從所述多個塊中選擇的塊對應的形狀模擬；以及

基于與選擇的塊對應的形狀模擬的結果數據，并行地執行與選擇的塊對應的多個離子注入模擬中的至少兩個離子注入模擬。

2.根據權利要求1所述的半導體工藝模擬方法，其中，執行形狀模擬的步驟包括：

從輸入數據庫獲取執行與選擇的塊對應的形狀模擬所需要的形狀數據；

基于形狀數據執行與選擇的塊對應的形狀模擬；以及

將與選擇的塊對應的形狀模擬的結果數據存儲在輸出數據庫中。

3.根據權利要求2所述的半導體工藝模擬方法，其中，執行所述至少兩個離子注入模擬的步驟包括：

從輸入數據庫獲取執行與選擇的塊對應的多個離子注入模擬所需要的離子輸入數據，并從輸出數據庫獲取與對應于選擇的塊的形狀模擬有關的結果數據；以及

基于與選擇的塊對應的形狀模擬的結果數據和離子注入數據并行地執行所述至少兩個離子注入模擬。

4.根據權利要求3所述的半導體工藝模擬方法，其中，執行所述至少兩個離子注入模擬的步驟還包括：將所述至少兩個離子注入模擬的結果數據存儲在輸出數據庫中。

5.根據權利要求3所述的半導體工藝模擬方法，其中，分別通過不同的處理器同時地執行所述至少兩個離子注入模擬。

6.根據權利要求3所述的半導體工藝模擬方法，所述半導體工藝模擬方法還包括：

從輸入數據庫獲取執行退火操作所需要的退火數據，并從輸出數據庫獲取與所述至少兩個離子注入模擬有關的第一結果數據和與在選擇的塊的先前塊處執行的退火模擬有關的第二結果數據；以及

基于退火數據以及第一結果數據和第二結果數據，執行與選擇的塊對應的退火操作。

7.根據權利要求6所述的半導體工藝模擬方法，其中，執行退火操作的步驟包括：通過在輸出數據庫中存儲與對應于選擇的塊的退火模擬有關的第三結果數據來更新與先前的塊相關的第二結果數據。

8.根據權利要求1所述的半導體工藝模擬方法，所述半導體工藝模擬方法還包括：

從與選擇的塊對應的多個離子注入模擬中確定是否存在由離子注入產生的缺陷數量大于參考值的離子注入模擬；以及

如果存在缺陷數量大于參考值的離子注入模擬，則重設與選擇的塊對應的多個離子注入模擬的順序。

9.根據權利要求8所述的半導體工藝模擬方法，其中，重設的步驟包括：

從所述多個離子注入模擬確定出現許多缺陷的第一離子注入模擬和由第一離子注入模擬改變其缺陷分布的第二離子注入模擬；以及

確定模擬的順序，從而在對包括第二離子注入模擬的第二子塊進行模擬之前執行對包括第一離子注入模擬的第一子塊的模擬。

10.根據權利要求9所述的半導體工藝模擬方法，其中，第一子塊包括第一離子注入模擬和未因第一離子注入模擬改變其缺陷分布的第三離子注入模擬，其中，同時執行第一離子注入模擬和第三離子注入模擬。

11.根據權利要求10所述的半導體工藝模擬方法，分別由不同的處理器并行地執行第一離子注入模擬和第三離子注入模擬。

12.根據權利要求1所述的半導體工藝模擬方法，其中，執行形狀模擬的步驟包括：

將與選擇的塊對應的形狀劃分成多個區；

并行地執行與所述多個區對應的子形狀模擬；以及

將與并行地執行的子形狀模擬有關的結果數據進行組合，以產生與對應于選擇的塊的形狀有關的數據。