[發明專利]像素界定層及其制備方法和應用有效
| 申請號: | 201610877802.X | 申請日: | 2016-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN107046048B | 公開(公告)日: | 2020-09-04 |
| 發明(設計)人: | 董婷;宋晶堯;付東 | 申請(專利權)人: | 廣東聚華印刷顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 鄭彤 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 界定 及其 制備 方法 應用 | ||
本發明涉及一種像素界定層及其制備方法和應用。該像素界定層包括第一像素界定層和層疊設置于所述第一像素界定層上的第二像素界定層;所述第一像素界定層設有與各子像素單元的發光區域相對應的多個第一開窗區域,所述第二像素界定層設有與所述第一開窗區域對應的第二開窗區域;所述第二開窗區域的面積大于所述第一開窗區域的面積,且所述第二開窗區域的邊緣與所述第一開窗區域的邊緣設有間距。上述像素界定層可以避免“陰極斷開”問題,提高打印分辨率,提高打印薄膜均勻性以及降低漏電流。
技術領域
本發明涉及電致發光技術領域,特別是涉及一種像素界定層及其制備方法和應用。
背景技術
OLED作為新型第三代平板顯示技術,與當前主流的LCD相比,具有主動發光、結構簡單、視角廣、響應速度快、節能、輕薄、可彎曲等特點而得到廣泛的研究和應用。目前OLED的商業化應用主要是采用蒸鍍技術,但蒸鍍需要比較昂貴的真空設備,材料利用率低,其生產成本相對較高,而在市場價格競爭中處于劣勢。溶液加工技術,特別是噴墨打印技術具有操作簡單、非接觸、無掩模、設備成本低、材料利用率高等優點而在器件制備上具有強勁的競爭優勢,能極大地推動顯示向著更薄、更輕、更低成本、柔性、大面積的方向發展,加快OLED全面產業化的進程。
噴墨打印制備顯示器時是通過將功能材料直接噴射進對應的像素區域并干燥沉積。因此,在噴墨打印制備顯示器時面臨的兩個主要挑戰是打印像素的高分辨率和功能材料的成膜均勻性。為了解決分辨率問題,一般需要將像素界定層的表面進行疏水處理,這樣親水性的墨水會在疏水的像素界定層上不容易鋪展而滾落入像素坑內;但在像素內鋪展時親水性的墨水與疏水的像素界定層浸潤性較差而導致有機發光材料與像素坑邊緣存在間隙,這樣就容易造成器件陰極與陽極短路,產生較大的漏電流,如圖1所示。為了提高墨水在像素內的浸潤性,通常是將像素界定層下部分進行親水處理,這樣墨水鋪展時與像素界定層由不浸潤狀態轉變為浸潤狀態,這樣能抑制了漏電流的產生,但是也加速了墨水三相線的釘扎,加劇了“咖啡環”的形成,導致薄膜的均勻性下降,如圖2所示。因此,高分辨率與薄膜均勻性仍是當前噴墨打印制備OLED顯示面臨的主要難題,迫切需要在現有的技術上有新的突破。
發明內容
基于此,本發明的目的是提供一種既能抑制漏電流產生,又保證像素內成膜均勻性的的像素界定層。
具體的技術方案如下:
一種像素界定層,其特征在于,包括第一像素界定層和層疊設置于所述第一像素界定層上的第二像素界定層;所述第一像素界定層設有與各子像素單元的發光區域相對應的多個第一開窗區域,所述第二像素界定層設有與所述第一開窗區域對應的第二開窗區域;所述第二開窗區域的面積大于所述第一開窗區域的面積,且所述第二開窗區域各邊長的尺寸比所述第一開窗區域相應各邊長的尺寸大10nm-1000nm。
在其中一些實施例中,所述第二開窗區域各邊長的尺寸比所述第一開窗區域各邊長的尺寸大200nm~500nm。
在其中一些實施例中,所述第一像素界定層由疏水親油材料構成,所述第二像素界定層由疏水疏油材料構成,且所述第一像素界定層的材料與所述第二像素界定層的材料具有相反的光阻特性。
在其中一些實施例中,所述疏水親油性材料優選自:聚酰亞胺、聚硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚甲基丙烯酸環己酯或聚苯乙烯等。
在其中一些實施例中,所述疏水疏油材料選自:聚六氟丙烯、氟化聚對二甲苯、氟化聚硅基醚、氟化聚酰亞胺或氟化聚酰胺。
在其中一些實施例中,所述第一像素界定層的厚度為50nm-200nm,所述第二像素界定層的厚度為1000nm-5000nm。
優選的,在其中一些實施例中,所述第一像素界定層的厚度為50nm-100nm,所述第二像素界定層的厚度為1000nm-2000nm。
本發明的另一目的是提供上述像素界定層的制備方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





