[發(fā)明專利]像素界定層及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610877802.X | 申請(qǐng)日: | 2016-09-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107046048B | 公開(公告)日: | 2020-09-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 董婷;宋晶堯;付東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 鄭彤 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素 界定 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種像素界定層,其特征在于,包括第一像素界定層和層疊設(shè)置于所述第一像素界定層上的第二像素界定層;所述第一像素界定層設(shè)有與各子像素單元的發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的多個(gè)第一開窗區(qū)域,所述第二像素界定層設(shè)有與所述第一開窗區(qū)域?qū)?yīng)的第二開窗區(qū)域;所述第二開窗區(qū)域的面積大于所述第一開窗區(qū)域的面積,且所述第二開窗區(qū)域各邊長(zhǎng)的尺寸比所述第一開窗區(qū)域相應(yīng)各邊長(zhǎng)的尺寸大10nm-1000nm;所述第一像素界定層由疏水親油材料構(gòu)成,所述第二像素界定層由疏水疏油材料構(gòu)成;所述疏水親油材料選自:聚硅氧烷或聚苯乙烯,所述疏水疏油材料選自:聚六氟丙烯、氟化聚對(duì)二甲苯或氟化聚硅基醚。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素界定層,其特征在于,所述第二開窗區(qū)域各邊長(zhǎng)的尺寸比所述第一開窗區(qū)域相應(yīng)各邊長(zhǎng)的尺寸大200~500nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素界定層,其特征在于,所述第一像素界定層的材料與所述第二像素界定層的材料具有相反的光阻特性。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的像素界定層,其特征在于,所述第一像素界定層的厚度為50nm-200nm,所述第二像素界定層的厚度為1000nm-5000nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素界定層,其特征在于,所述第一像素界定層的厚度為50nm-100nm,所述第二像素界定層的厚度為1000nm-2000nm。
6.權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的像素界定層的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
在基板上沉積一層疏水親油薄膜材料,然后進(jìn)行圖形化形成第一開窗區(qū)域,得所述第一像素界定層;
在所述第一像素界定層上沉積一層疏水疏油薄膜材料,然后進(jìn)行圖形化形成與所述第一開窗區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第二開窗區(qū)域,得所述第二像素界定層;
即得所述像素界定層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述沉積包括旋涂、絲網(wǎng)印刷或噴墨打印。
8.一種電致發(fā)光器件,其特征在于,包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的像素界定層。
9.一種顯示面板,其特征在于,包含權(quán)利要求8所述的電致發(fā)光器件。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包含權(quán)利要求9所述的顯示面板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





