[發(fā)明專利]一種密舟多晶硅太陽能電池的擴散工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610874557.7 | 申請日: | 2016-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN106449874B | 公開(公告)日: | 2017-10-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 任哲;成文;劉文峰;郭進;姬常曉 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第四十八研究所 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/223;H01L31/068 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙)43008 | 代理人: | 周長清,張鮮 |
| 地址: | 410111 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多晶 太陽能電池 擴散 工藝 | ||
技術領域
本發(fā)明屬于晶體硅電池的制備工藝中的擴散加工領域,具體涉及一種密舟多晶硅太陽能電池的擴散工藝。
背景技術
太陽能電池擴散的主要用途是在高溫條件下對電池片進行摻雜,對于P型電池,即將元素磷擴散入硅片,從而改變和控制電池內雜質的類型、濃度和分布,以便建立起不同的電特性區(qū)域。
目前,常規(guī)的太陽能多晶擴散工藝是在常壓下進行的,反應氣體從爐尾進入,再從爐口被抽走,為了保證爐尾與爐口的方阻均勻性,需要通入大量的反應氣體,這樣不僅會增加成本,而且也容易導致電池的方阻均勻性變差。尤其是在使用密舟,將每管從400片增加到800片或以上時,由于片與片之間的間隙變得更小,這種現(xiàn)象會變得更加嚴重。
隨著電池向大尺寸、超薄化方向發(fā)展以及低的表面雜質濃度,低壓擴散技術優(yōu)勢非常明顯,通過降低擴散爐工作腔內的氣壓會提高擴散爐管內氣流的均勻性,避免湍流產(chǎn)生,從而提高擴散的均勻性。但是,低壓擴散方式工藝復雜,不易控制,因此,對低壓擴散工藝的優(yōu)化較困難。現(xiàn)有的多晶硅低壓擴散工藝大多采用兩步通小氮,并且在反應過程中需要通入較大量的大氮和氧氣,這樣會增加生產(chǎn)成本。而且在擴散推結后直接進行退火,會使部分未反應完的物質殘留在擴散管中,容易形成偏磷酸,污染硅片。可見,由于低壓擴散技術工藝尚不成熟,密舟低壓擴散工藝優(yōu)化將更加困難。
發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的技術問題是克服現(xiàn)有技術的不足,提供一種提高密舟多晶硅太陽能電池方阻均勻性、成本低的擴散工藝。
為解決上述技術問題,本發(fā)明采用以下技術方案:
一種密舟多晶硅太陽能電池的擴散工藝,包括以下步驟:
(1)升溫:將密舟承載的多晶硅片送入擴散爐中,溫度升至780℃~800℃;
(2)氧化:溫度穩(wěn)定在780℃~800℃,將管內壓力抽至120mbar~220mbar,以200sccm~500sccm的速率通入氧氣,以2000sccm~3000sccm的速率通入大氮,通入時間為4min~8min;
(3)擴散:溫度穩(wěn)定在780℃~800℃,管內壓力穩(wěn)定在120mbar~220mbar,以150sccm~220sccm的速率通入小氮,以200sccm~500sccm的速率通入氧氣,以2000sccm~3000sccm的速率通入大氮,通入時間為8min~15min;
(4)高溫推進:將溫度升至820℃~840℃,管內壓力穩(wěn)定在120mbar~220mbar,以200sccm~500sccm的速率通入氧氣,以2000sccm~3000sccm的速率通入大氮,通入時間為8min~15min;
(5)洗氣:洗氣過程為:保持溫度不變,將管內壓力升至常壓,然后再抽至300~500mbar,以2000sccm~3000sccm的速率通入大氮,通入時間為100s;以所述洗氣過程為一個洗氣周期進行重復洗氣;
(6)退火:將管內壓力恢復常壓,降溫處理后將多晶硅片取出。
上述的密舟多晶硅太陽能電池的擴散工藝,優(yōu)選的,所述密舟承載的多晶硅片的片間距為2mm~2.5mm,密舟一次承載的多晶硅片數(shù)量為800片~1200片。
上述的密舟多晶硅太陽能電池的擴散工藝,優(yōu)選的,所述多晶硅片為P型多晶硅片,所述P型多晶硅片的電阻率為1Ω·cm~3Ω·cm,厚度為150μm~200μm。
與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明的優(yōu)點在于:
1、本發(fā)明的密舟多晶硅太陽能電池的擴散工藝,電池擴散的主要反應步驟均處于120~220mbar的低壓狀態(tài)下,通過對整個擴散工藝進行優(yōu)化后,擴散爐管內氣流的均勻性大大提高,避免湍流產(chǎn)生,氣體能夠與硅片緩慢而均勻地反應,進而有效提高了密舟的電池方阻均勻性。由于方阻不均勻度的降低,裝片石英舟槽間距設計可由目前標準的4.76mm降為標準值的一半2.38mm,這樣帶來的效果是在設備體積不變的情況下產(chǎn)能大幅提升。另外,由于采用低壓工藝,擴散過程化學品的吸收效率大幅提高,通入氣體的流量只需要常壓擴散工藝的十分之一到五分之一,大大降低了成本。
2、與現(xiàn)有的采用兩步通小氮的低壓擴散相比,本發(fā)明采用單步通小氮,通入時間與兩步通小氮的總時間基本相同,但通入速率要低于兩步通小氮,因此,通入小氮的總量上要少于現(xiàn)有低壓擴散工藝,降低了生產(chǎn)成本。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





