[發明專利]一種密舟多晶硅太陽能電池的擴散工藝有效
| 申請號: | 201610874557.7 | 申請日: | 2016-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN106449874B | 公開(公告)日: | 2017-10-27 |
| 發明(設計)人: | 任哲;成文;劉文峰;郭進;姬常曉 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第四十八研究所 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/223;H01L31/068 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙)43008 | 代理人: | 周長清,張鮮 |
| 地址: | 410111 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多晶 太陽能電池 擴散 工藝 | ||
1.一種密舟多晶硅太陽能電池的擴散工藝,包括以下步驟:
(1)升溫:將密舟承載的多晶硅片送入擴散爐中,溫度升至780℃~800℃;
(2)氧化:溫度穩定在780℃~800℃,將管內壓力抽至120mbar~220mbar,以200sccm~500sccm的速率通入氧氣,以2000sccm~3000sccm的速率通入大氮,通入時間為4min~8min;
(3)擴散:溫度穩定在780℃~800℃,管內壓力穩定在120mbar~220mbar,以150sccm~220sccm的速率通入小氮,以200sccm~500sccm的速率通入氧氣,以2000sccm~3000sccm的速率通入大氮,通入時間為8min~15min;
(4)高溫推進:將溫度升至820℃~840℃,管內壓力穩定在120mbar~220mbar,以200sccm~500sccm的速率通入氧氣,以2000sccm~3000sccm的速率通入大氮,通入時間為8min~15min;
(5)洗氣:洗氣過程為:保持溫度不變,將管內壓力升至常壓,然后再抽至300~500mbar,以2000sccm~3000sccm的速率通入大氮,通入時間為100s;以所述洗氣過程為一個洗氣周期進行重復洗氣;
(6)退火:將管內壓力恢復常壓,降溫處理后將多晶硅片取出。
2.根據權利要求1所述的密舟多晶硅太陽能電池的擴散工藝,其特征在于,所述密舟承載的多晶硅片的片間距為2mm~2.5mm,密舟一次承載的多晶硅片數量為800片~1200片。
3.根據權利要求1或2所述的密舟多晶硅太陽能電池的擴散工藝,其特征在于,所述多晶硅片為P型多晶硅片,所述P型多晶硅片的電阻率為1Ω·cm~3Ω·cm,厚度為150μm~200μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





