[發(fā)明專利]用于保持晶片的容納裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610870884.5
• 申請日: 2010-12-20
• 公開（公告）號: CN106887399B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M.溫普林格;T.瓦根萊特納;A.菲爾伯特
• 申請（專利權(quán)）人: EV集團(tuán)E·索爾納有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張濤

本發(fā)明涉及用于容納并且保持晶片的容納裝置，具有下面的特征：?保持面（1o），?用于將晶片保持在保持面（1o）上的保持裝置和?補(bǔ)償裝置（3，4，5，6），?用于對晶片的全局變形進(jìn)行主動(dòng)的、至少部分的補(bǔ)償，其中所述補(bǔ)償可以通過溫度加以控制。本發(fā)明還涉及用于使用前述容納裝置將第一晶片與第二晶片對齊的裝置和方法。

本申請是申請?zhí)枮?01080070797.2、申請日為2010年12月20日的同名稱申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于容納并且保持晶片的容納裝置和用于在使用該容納裝置的情況下將第一晶片與第二晶片對齊的裝置和方法。

背景技術(shù)

這種容納裝置或者樣品保持器或夾盤以許多實(shí)施方式存在，并且對于容納裝置，平坦的容納面或者保持面是決定性的，由此在越來越大的晶片面上的變得越來越小的結(jié)構(gòu)可以在整個(gè)晶片面上被正確地對齊和接觸。如果所謂的預(yù)鍵合步驟（該預(yù)鍵合步驟將晶片借助可分離的連接相互連接）在實(shí)際的鍵合過程之前執(zhí)行的話，這是特別重要的。只要對于所有在一個(gè)或兩個(gè)晶片上設(shè)置的結(jié)構(gòu)應(yīng)當(dāng)實(shí)現(xiàn)＜2μm的對準(zhǔn)精度或者尤其是變形值，晶片彼此之間的高度對齊精度就是特別重要的。在已知的容納裝置和用于對齊的裝置（即所謂的對準(zhǔn)器、尤其是鍵合對準(zhǔn)器）中，在對齊標(biāo)記附近這能非常好地達(dá)到。隨著離對齊標(biāo)記的距離的增大，具有好于2μm、優(yōu)選好于1μm并且進(jìn)一步優(yōu)選好于0.25μm的對齊精度或尤其是變形值的經(jīng)檢查并且完美的對齊是不可實(shí)現(xiàn)的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的任務(wù)是，這樣改善按照類型的容納裝置，使得利用其可以實(shí)現(xiàn)更精確的對齊。

該任務(wù)利用一種用于容納并且保持晶片的容納裝置解決，該容納裝置具有下面的特征：保持面，用于將晶片保持在保持面處的保持裝置，和補(bǔ)償裝置，用于對晶片的全局變形進(jìn)行主動(dòng)的、至少部分的補(bǔ)償，其中所述補(bǔ)償能夠通過溫度加以控制。該任務(wù)還利用一種用于將第一晶片與第二晶片對齊的裝置解決，該裝置具有下面的特征：用于確定由于第一晶片相對于第二晶片的伸長和/或變形而出現(xiàn)的局部對齊誤差的裝置，至少一個(gè)用于容納并且保持晶片的容納裝置，具有以下特征：a)保持面，b)用于將晶片保持在保持面處的保持裝置，和c)補(bǔ)償裝置，用于對晶片的全局變形進(jìn)行主動(dòng)的、至少部分的補(bǔ)償，其中所述補(bǔ)償能夠通過溫度加以控制，和用于通過補(bǔ)償裝置的補(bǔ)償來對齊晶片的對齊裝置。該任務(wù)還通過用于將第一晶片與第二晶片對齊的方法解決，該方法具有下面的步驟，尤其是下面的順序：確定由于第一晶片相對于第二晶片的伸長和/或變形而出現(xiàn)的局部對齊誤差，將至少一個(gè)晶片容納到用于容納并且保持晶片的容納裝置中，所述容納裝置具有以下特征：a)保持面，b)用于將晶片保持在保持面處的保持裝置，和 c)補(bǔ)償裝置，用于對晶片的全局變形進(jìn)行主動(dòng)的、至少部分的補(bǔ)償，其中所述補(bǔ)償能夠通過溫度加以控制，并且通過補(bǔ)償裝置的補(bǔ)償來對齊晶片。

本發(fā)明的有利的改進(jìn)方案在下面說明。落入本發(fā)明的范疇中的還有在說明書和/或附圖中說明的特征的至少兩個(gè)的全部組合。在所說明的值范圍中，在所述界限內(nèi)的值也應(yīng)當(dāng)作為界限值被公開并且可以以任意組合被請求保護(hù)。

本發(fā)明基于按照歐洲專利申請EP 09012023和EP10 015 569的申請人的認(rèn)識，其中利用前面提到的認(rèn)識，整個(gè)表面的檢測、尤其是將在每個(gè)晶片表面上的結(jié)構(gòu)的位置作為晶片位置圖是可能的。后面提到的發(fā)明涉及用于求得在將第一晶片與第二晶片連接時(shí)由于第一晶片相對于第二晶片的伸長和/或變形而出現(xiàn)的局部對齊誤差的裝置，具有：

-沿著第一晶片的第一接觸面的伸長值的第一伸長圖和/或

-沿著第二接觸面的伸長值的第二伸長圖和

-用于分析第一和/或第二伸長圖的分析裝置，通過其可以求得局部的對齊誤差。