[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610867673.6
• 申請(qǐng)日: 2016-09-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107579049A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余振華;余俊輝;余國(guó)寵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/48;H01L21/98
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司32243
• 代理人: 顧伯興

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝及其制造方法。

背景技術(shù)

通常可以在整片半導(dǎo)體芯片上制造半導(dǎo)體組件和集成電路。在芯片層級(jí)工藝中，針對(duì)芯片中的管芯進(jìn)行加工處理，并且可以將管芯與其他的半導(dǎo)體組件一起封裝。目前各方正努力開(kāi)發(fā)適用于芯片級(jí)封裝的不同技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，能有效地改善半導(dǎo)體封裝電性性能。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體封裝包括第一布線層、第一管芯、至少一第二管芯、至少一第三管芯、封裝模塑體、貫穿介層孔、導(dǎo)電部件以及至少一第四管芯。第一管芯位于第一布線層之上且具有至少一導(dǎo)通孔。第一管芯包括至少一個(gè)傳感器。第二管芯與第三管芯設(shè)置于第一布線層上且位于第一布線層與第一管芯之間。封裝模塑體設(shè)置于第一布線層上且位于第一布線層與第一管芯之間，并且封裝模塑體包覆第二管芯與第三管芯。穿透封裝模塑體的貫穿介層孔位于第一布線層與第一管芯之間且位于所述至少一第二管芯與所述至少一第三管芯旁邊。貫穿介層孔電性連接至第一管芯的至少一導(dǎo)通孔且電性連接至第一布線層。導(dǎo)電部件電性連接至第一布線層。第四管芯電性連接至第一布線層且設(shè)置于導(dǎo)電部件旁邊。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝包括第一布線層、第一管芯、至少一第二管芯、至少一第三管芯、貫穿介層孔以及封裝模塑體。第一管芯包括至少一個(gè)傳感器和導(dǎo)通孔于其中，第一布線層設(shè)置在第一管芯之下。第二管芯與第三管芯設(shè)置在第一布線層上且位于第一布線層和第一管芯之間。貫穿介層孔設(shè)置在第一布線層上、位于第一布線層和第一管芯之間并且設(shè)置于至少一第二管芯與至少一第三管芯旁邊。導(dǎo)通孔的位置與貫穿介層孔的位置實(shí)質(zhì)上大致對(duì)齊。第一管芯的導(dǎo)通孔與貫穿介層孔電性連接，并且導(dǎo)通孔和貫穿介層孔電性連接至第一布線層。封裝模塑體設(shè)置于第一布線層上且位于第一布線層和第一管芯之間，而且封裝模塑體包覆密封至少一第二管芯、至少一第三管芯以及貫穿介層孔。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體封裝的制造方法包括提供具有第一管芯的芯片于載體上，其中第一管芯包括至少一個(gè)傳感器和多個(gè)導(dǎo)通孔于其中。形成多個(gè)貫穿介層孔于第一管芯之上以及導(dǎo)通孔之上，其中導(dǎo)通孔的位置與貫穿介層孔的位置實(shí)質(zhì)上大致對(duì)齊。第一管芯的導(dǎo)通孔與貫穿介層孔電性連接。設(shè)置至少一第二管芯與至少一第三管芯于第一管芯之上并且設(shè)置于貫穿介層孔旁邊。形成封裝模塑體于芯片的第一管芯之上并且封裝模塑體包覆密封至少一第二管芯、至少一第三管芯以及貫穿介層孔。形成第一布線層于封裝模塑體上。貫穿介層孔電性連接至第一布線層。設(shè)置至少一第四管芯于第一布線層上。第四管芯電性連接至第一布線層。設(shè)置導(dǎo)電部件在第一布線層上。從芯片移除載體并對(duì)芯片進(jìn)行切割工藝而切割穿透至少芯片與封裝模塑體，分離得到多個(gè)半導(dǎo)體封裝。

基于上述，本發(fā)明實(shí)施例提供半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，其中貫穿介層孔與導(dǎo)通孔的位置相對(duì)齊，貫穿介層孔直接接觸導(dǎo)通孔或貫穿介層孔位置至少與導(dǎo)通孔位置重疊，可為位于封裝模塑體不同層的多個(gè)管芯提供較短的電性連接路徑，進(jìn)而降低了封裝結(jié)構(gòu)厚度并改善提高封裝結(jié)構(gòu)的電性性能。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

圖1A到圖1J為依據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝制造方法的各種階段所形成的半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。

圖2A為依據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。

圖2B為依據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。

圖3A到圖3I為依據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝制造方法的各種階段所形成的半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。

圖4A為依據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。

圖4B為依據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

10：半導(dǎo)體封裝

100：芯片

102：載體

110：第一管芯

111：覆蓋層

112：影像傳感器

113：透鏡陣列

114a：接觸墊

114b：傳感器圖案

115：框架結(jié)構(gòu)

116：導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)

118：信號(hào)處理單元

120：導(dǎo)通孔

122：圖案化的介電材料層

126：第二布線層