[發明專利]一種納米線條的修復方法有效

申請號：	201610866043.7	申請日：	2016-09-29
公開（公告）號：	CN107887258B	公開（公告）日：	2020-01-21
發明（設計）人：	黃洛俊;景玉鵬;康恒;李勇滔	申請（專利權）人：	中國科學院微電子研究所
主分類號：	H01L21/027	分類號：	H01L21/027;B82Y40/00
代理公司：	11302 北京華沛德權律師事務所	代理人：	房德權
地址：	100029 ***	國省代碼：	北京;11
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	一種納米線條修復方法
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【說明書】：

本發明涉及半導體微納結構制造技術領域，具體涉及一種納米線條的修復方法，所述方法包括如下步驟：將具有光刻膠納米線條的硅片放在電子顯微鏡下觀察是否有坍塌或粘連的光刻膠納米線條；將有坍塌或粘連的光刻膠納米線條的硅片放在兆聲波發生器的支架上，將去離子水放入所述兆聲波發生器的容器中；所述兆聲波發生器在設定工作時間結束后，取出所述硅片并干燥，即可獲得修復后的光刻膠圖形。本發明中的兆聲波發生器發出高頻振蕩信號，能使液體分子做加速運動并具有直流推進和空化作用，可以使坍塌或者粘連的納米細線條發生形態變化，打破原來坍塌或者粘連的狀態，大部分坍塌或者粘連的納米細線條得以復原，達到修復的效果。

技術領域

本發明涉及半導體微納結構制造技術領域，具體涉及一種納米線條的修復方法。

背景技術

在集成電路的制造領域中，隨著特征尺寸的減小和制造結構的復雜程度提高，光刻膠圖形在顯影的過程中容易發生坍塌或者粘連，如果不解決這個問題，將會導致所制造出來的電子器件有嚴重的缺陷。一般在發現光刻膠圖形有坍塌或者粘連后會將硅片清洗干凈再次涂膠光刻顯影等步驟，這將會增加工藝的成本和浪費一些不必要的時間，從而降低了生產效率，增加了制造成本。

發明內容

本發明的目的在于提供一種納米線條的修復方法，所述方法有助于提高集成電路制造工藝的效率，同時降低生產成本。

為了達到上述目的，本發明采用的技術方案為：

一種納米線條的修復方法，包括如下步驟：

將具有光刻膠納米線條的硅片放在電子顯微鏡下觀察是否有坍塌或粘連的光刻膠納米線條；

將有坍塌或粘連的光刻膠納米線條的硅片放在兆聲波發生器的支架上，將去離子水放入溫度可控的所述兆聲波發生器的容器中；

確定所述去離子水的溫度設定值；

待所述兆聲波發生器對所述去離子水的控制溫度達到所述溫度設定值，設定所述兆聲波發生器的工作時間后開啟所述兆聲波發生器；

所述兆聲波發生器在設定工作時間結束后，取出所述硅片并干燥，即可獲得修復后的光刻膠圖形。

上述方案中，所述去離子水的溫度設定值為20-100℃。

上述方案中，所述兆聲波發生器的工作時間設置為5-120分鐘。

上述方案中，取出所述硅片后，將所述硅片放在電子加熱板上干燥20分鐘，所述電子加熱板的溫度設定為100℃。