[發明專利]一種納米線條的修復方法有效
| 申請號： | 201610866043.7 | 申請日： | 2016-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN107887258B | 公開（公告）日： | 2020-01-21 |
| 發明（設計）人： | 黃洛俊;景玉鵬;康恒;李勇滔 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11302 北京華沛德權律師事務所 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 線條 修復 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種納米線條的修復方法，其特征在于，包括如下步驟：
將具有光刻膠納米線條的硅片放在電子顯微鏡下觀察是否有坍塌或粘連的光刻膠納米線條；
將有坍塌或粘連的光刻膠納米線條的硅片放在兆聲波發生器的支架上，將去離子水放入溫度可控的所述兆聲波發生器的容器中；
確定所述去離子水的溫度設定值；
待所述兆聲波發生器對所述去離子水的控制溫度達到所述溫度設定值，設定所述兆聲波發生器的工作時間后開啟所述兆聲波發生器；
所述兆聲波發生器在設定工作時間結束后，取出所述硅片并干燥，即可獲得修復后的光刻膠圖形；
所述兆聲波發生器超聲波頻率為2.7M赫茲。
2.如權利要求1所述的修復方法，其特征在于：所述去離子水的溫度設定值為20-100℃。
3.如權利要求1所述的修復方法，其特征在于：所述兆聲波發生器的工作時間設置為5-120分鐘。
4.如權利要求1所述的修復方法，其特征在于：取出所述硅片后，將所述硅片放在電子加熱板上干燥20分鐘，所述電子加熱板的溫度設定為100℃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
