[發明專利]用于原子層沉積的動態前體投配

有效

• 申請號: 201610865153.1
• 申請日: 2016-09-29
• 公開（公告）號: CN107068585B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 普魯肖塔姆·庫馬爾;阿德里安·拉沃伊;錢俊;康胡;伊時塔克·卡里姆;歐豐松
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23C16/455;C23C16/448;C23C16/52
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;張華

1.一種用于控制在半導體加工工具內的前體流的方法，該方法包括：

（a）使氣體流動通過氣體管線；

（b）在投配步驟之前，打開安瓿的一個或多個閥，以使前體流開始從所述安瓿通過所述氣體管線流向處理室，其中打開安瓿的一個或多個閥發生在所述投配步驟前基本上等于管線填充時間的時間量時，其中，所述管線填充時間為前體流從所述安瓿流到所述處理室所需要的時間；

（c）關閉所述安瓿的一個或多個閥，以使所述前體流停止從所述安瓿流出；

（d）在所述投配步驟開始時，打開處理室閥，以使所述前體流能進入所述處理室；以及

（e）在所述投配步驟結束時，關閉所述處理室閥，以使所述前體流停止進入所述處理室。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在（c）中關閉所述安瓿的一個或多個閥發生在（e）中的所述關閉所述處理室閥前基本上等于管線填充時間的時間量時，其中，所述管線填充時間為前體流從所述安瓿流到所述處理室所需要的時間。

3.根據權利要求1所述的方法，其中在（d）中打開所述處理室閥發生在（b）中打開所述安瓿的所述閥后基本上等于管線填充時間的時間量時，其中，所述管線填充時間為前體流從所述安瓿流到所述處理室所需要的時間。

4.根據權利要求1所述的方法，其中在（e）中關閉所述處理室閥發生在（c）中關閉所述安瓿的所述一個或多個閥后基本上等于管線填充時間的時間量時，其中，所述管線填充時間為前體流從所述安瓿流到所述處理室所需要的時間。

5.根據權利要求1、3或4中的任一項所述的方法，其中在（c）中關閉所述安瓿的所述一個或多個閥發生在（b）中打開所述安瓿的閥后基本上等于所述投配步驟的吸附時間的時間量時。

6.根據權利要求1-4中的任一項所述的方法，其中在（e）中關閉所述處理室閥發生在（d）中打開所述處理室閥后基本上等于所述投配步驟的吸附時間的時間量時。

7.根據權利要求1所述的方法，其中：

在（b）中打開安瓿的一個或多個閥發生在所述投配步驟開始前基本上等于管線填充時間的時間量時，其中，所述管線填充時間為前體流從所述安瓿流到所述處理室所需要的時間；

在（c）中關閉所述安瓿的所述一個或多個閥發生在（b）中打開所述安瓿的所述閥后基本上等于所述投配步驟的吸附時間的時間量時；

在（d）中打開處理室閥發生在（b）中打開所述安瓿的所述閥后基本上等于所述管線填充時間的時間量時；以及

在（e）中關閉所述處理室閥發生在（d）中打開所述處理室閥后基本上等于所述吸附時間的時間量時。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述吸附時間選自由以下構成的組：小于所述管線填充時間的時間、大于所述管線填充時間的時間、以及等于所述管線填充時間的時間。

9.根據權利要求1-4中的任一項所述的方法，其中所述安瓿的所述一個或多個閥在所述投配步驟之前打開，以使所述前體流在所述投配步驟開始時到達所述處理室。

10.根據權利要求1-4中的任一項所述的方法，其中所述安瓿的所述一個或多個閥在所述投配步驟之前打開，以使所述前體流在所述投配步驟開始時至少部分地填充所述氣體管線。

11.根據權利要求1-4中的任一項所述的方法，其中所述安瓿的所述一個或多個閥在所述投配步驟結束之前關閉，以使在所述投配步驟結束時基本上沒有前體保留在所述氣體管線內。

12.根據權利要求1-4中的任一項所述的方法，其中所述安瓿的所述一個或多個閥在一定量的前體處于所述氣體管線內之后關閉，以實現所期望的在晶片上的吸附。

13.根據權利要求1-4中任意一項所述的方法，其中所述處理室閥在所期望的在晶片上的吸附已經發生后關閉。