[發(fā)明專利]保護(hù)電路及電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610862824.9
• 申請(qǐng)日: 2016-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN106960663B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 關(guān)根裕之;山本祐輔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天馬微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/36
• 分類號(hào): G09G3/36
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種保護(hù)電路，包括：

控制電路，所述控制電路控制第一配線和第二配線之間的電流；以及

施加電路，所述施加電路對(duì)所述控制電路施加電壓，其中，所述控制電路包括控制所述電流的第一薄膜晶體管，

所述施加電路包括在所述第一配線和所述第二配線之間相互串聯(lián)連接的第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管，

所述第二薄膜晶體管和所述第三薄膜晶體管均包括第一柵極和第二柵極，

所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管和所述第三薄膜晶體管中的每一者還包括第一電極和第二電極，

所述第一薄膜晶體管的所述第一電極連接到所述第一配線，

所述第一薄膜晶體管的所述第二電極連接到所述第二配線，

所述第二薄膜晶體管的所述第一柵極連接到所述第一配線，

所述第二薄膜晶體管的所述第一電極連接到所述第一配線，

所述第三薄膜晶體管的所述第一柵極連接到所述第二薄膜晶體管和所述第三薄膜晶體管之間的連接點(diǎn)，

所述第三薄膜晶體管的所述第二電極連接到所述第二配線，

所述第二薄膜晶體管的所述第二柵極和所述第三薄膜晶體管的所述第二柵極連接到所述第二配線，以及

所述施加電路將所述連接點(diǎn)的電壓施加于所述第一薄膜晶體管的柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)電路，其中，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、以及所述第三薄膜晶體管均包括氧化物半導(dǎo)體層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護(hù)電路，其中，

所述第二薄膜晶體管的所述第一柵極和所述第三薄膜晶體管的所述第一柵極設(shè)置為靠近所述氧化物半導(dǎo)體層的第一面，以及

所述第二薄膜晶體管的所述第二柵極和所述第三薄膜晶體管的所述第二柵極設(shè)置為靠近所述氧化物半導(dǎo)體層的與所述第一面相對(duì)的第二面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的保護(hù)電路，其中，

所述控制電路還包括與所述第一薄膜晶體管并聯(lián)連接的第四薄膜晶體管，

所述施加電路還包括相互串聯(lián)連接的第五薄膜晶體管和第六薄膜晶體管，

所述第五薄膜晶體管和所述第六薄膜晶體管均包括第一柵極和第二柵極，

所述第五薄膜晶體管的所述第一柵極連接到所述第二配線，

所述第六薄膜晶體管的所述第一柵極連接到所述第五薄膜晶體管和所述第六薄膜晶體管之間的連接點(diǎn)，

所述第五薄膜晶體管的所述第二柵極和所述第六薄膜晶體管的所述第二柵極連接到所述第一配線，以及

所述施加電路將所述第五薄膜晶體管和所述第六薄膜晶體管之間的所述連接點(diǎn)的電壓施加于所述第四薄膜晶體管的柵極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的保護(hù)電路，其中，

所述第一薄膜晶體管控制從所述第一配線流入所述第二配線的電流，以及

所述第四薄膜晶體管控制從所述第二配線流入所述第一配線的電流。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的保護(hù)電路，其中，

所述第一薄膜晶體管具有所述第一薄膜晶體管的所述柵極相對(duì)于與所述第一配線連接的第一金屬端子偏置的偏置柵極結(jié)構(gòu)，以及

所述第四薄膜晶體管具有所述第四薄膜晶體管的所述柵極相對(duì)于與所述第二配線連接的第二金屬端子偏置的偏置柵極結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的保護(hù)電路，其中，

所述第一薄膜晶體管控制從所述第一配線流入所述第二配線的電流，以及

所述第四薄膜晶體管控制從所述第二配線流入所述第一配線的電流。