[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610861810.5 | 申請日: | 2016-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN107887403B | 公開(公告)日: | 2020-11-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 韓媛媛;朱修劍 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海波拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光二極管 顯示器 及其 制作方法 | ||
一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制作方法,其中有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括相對接合在一起的陣列元件基板和有機(jī)發(fā)光二極管基板。陣列元件基板包括第一基底、位于第一基底上的薄膜晶體管陣列元件及位于薄膜晶體管陣列元件上的第一接合電極和第二接合電極。有機(jī)發(fā)光二極管基板包括第二基底、位于第二基底的第一表面上的第三接合電極及位于第二基底相對的第二表面上的有機(jī)發(fā)光二極管。陣列元件基板和有機(jī)發(fā)光二極管基板相對接合在一起,從而將LTPS制備流程與OLED制備流程分開進(jìn)行,且制備的柔性O(shè)LED基底可裁剪成任意性狀,實(shí)現(xiàn)了某一PPI下多種產(chǎn)品的一次性生產(chǎn),無需開多套蒸鍍mask,節(jié)省了成本,提高生產(chǎn)效率和良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及平板顯示的技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制作方法。
背景技術(shù)
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)是主動(dòng)發(fā)光器件,具有高對比度、廣視角、低功耗、響應(yīng)速度快、體積更薄等優(yōu)點(diǎn),有望成為下一代主流平板顯示技術(shù)。
低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)已經(jīng)普遍地應(yīng)用在平面顯示器例如有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(AMOLED)的陣列基板上。AMOLED顯示器的制作流程主要分為兩大部分:低溫多晶硅(LTPS)制作與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)制作。具體是,一般先在基板上沉積非晶硅層(a-Si),然后通過熱處理使非晶硅熔融結(jié)晶以形成較平滑且具有晶粒的多晶硅層(p-Si),并利用多晶硅層作為薄膜晶體管(TFT)的溝道層制作形成低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT);接下來在低溫多晶硅薄膜晶體管上繼續(xù)制作有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的陽極、有機(jī)發(fā)光層和陰極,從而形成陣列基板。最后通過將形成有低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPSTFT)陣列元件和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的陣列基板粘接到用于封裝的單獨(dú)基板上,從而制造出底部或頂部發(fā)光的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(AMOLED)。
在這種情況下,由于有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(AMOLED)的良率由低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)陣列元件和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)基板共同決定。因此,即使已經(jīng)制作了優(yōu)良的低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)陣列元件,但是如果在后續(xù)制作有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)基板時(shí)因外界顆粒或其他因素產(chǎn)生缺陷,則該有機(jī)發(fā)光二極管顯示器被定為缺陷級,也就損失了花費(fèi)在非缺陷薄膜晶體管陣列元件上的費(fèi)用和材料成本。因此,現(xiàn)有的制作方法中,制作流程長,容易造成不良的積累,影響生產(chǎn)效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制作方法,以解決現(xiàn)有制作方法中,制作流程長,易導(dǎo)致不良累積,生產(chǎn)效率低的問題。
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,包括相對接合在一起的陣列元件基板和有機(jī)發(fā)光二極管基板,其中:
該陣列元件基板包括第一基底、位于該第一基底上的薄膜晶體管陣列元件、以及位于該薄膜晶體管陣列元件上的第一接合電極和第二接合電極,該第一接合電極和該第二接合電極相互絕緣,該第一接合電極與該薄膜晶體管陣列元件中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管電性連接;
該有機(jī)發(fā)光二極管基板包括第二基底、位于該第二基底的第一表面上的第三接合電極、以及位于該第二基底相對的第二表面上的有機(jī)發(fā)光二極管,該有機(jī)發(fā)光二極管包括第一電極、第二電極和位于該第一電極與該第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層,該有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極與該第三接合電極電性連接;
該陣列元件基板和該有機(jī)發(fā)光二極管基板相對接合在一起,該第一接合電極與該第三接合電極接觸連接,該第二接合電極與該有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極電性連接。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
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- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長
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