[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制作方法有效
| 申請號: | 201610861810.5 | 申請日: | 2016-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN107887403B | 公開(公告)日: | 2020-11-17 |
| 發明(設計)人: | 韓媛媛;朱修劍 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海波拓知識產權代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 及其 制作方法 | ||
1.一種有機發光二極管顯示器,其特征在于,包括相對接合在一起的陣列元件基板和有機發光二極管基板,其中:
該陣列元件基板包括第一基底、位于該第一基底上的薄膜晶體管陣列元件、以及位于該薄膜晶體管陣列元件上的第一接合電極和第二接合電極,該第一接合電極和該第二接合電極相互絕緣,該第一接合電極與該薄膜晶體管陣列元件中的驅動薄膜晶體管電性連接;
該有機發光二極管基板包括第二基底、位于該第二基底的第一表面上的第三接合電極、以及位于該第二基底相對的第二表面上的有機發光二極管,該有機發光二極管包括第一電極、第二電極和位于該第一電極與該第二電極之間的有機發光層,該有機發光二極管的第一電極與該第三接合電極電性連接;
該陣列元件基板和該有機發光二極管基板相對接合在一起,該第一接合電極與該第三接合電極接觸連接,該第二接合電極與該有機發光二極管的第二電極電性連接;該第二基底為柔性基底,由多個有機襯底層和多個無機阻隔層依次交替層疊形成。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,該薄膜晶體管陣列元件包括開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管,每個薄膜晶體管包括柵極、柵極絕緣層、半導體層、源極和漏極,該源極和該漏極相互間隔開且分別與該半導體層電性連接,該第一基底在該薄膜晶體管陣列元件上形成平坦層,該平坦層中形成導通孔以露出該驅動薄膜晶體管的源極或漏極,該第一接合電極和該第二接合電極形成在該平坦層上,該第一接合電極通過該導通孔與該驅動薄膜晶體管的源極或漏極電性連接。
3.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,該第一接合電極的數量為多個且呈矩陣分布,每個子像素區域內具有一個該第一接合電極,每個子像素區域內的該第一接合電極與位于該子像素區域內的驅動薄膜晶體管的源極或漏極電性連接。
4.根據權利要求3所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,該第二接合電極分布在該第一接合電極之間的空隙處且連接成網格狀。
5.根據權利要求3所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,該第二接合電極僅分布在該陣列元件基板的外圍邊緣區域且連接成“口”字形。
6.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,該第二基底中貫穿設有第一接觸孔,該有機發光二極管的第一電極通過該第一接觸孔與該第三接合電極電性連接。
7.根據權利要求6所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,該第二基底的第一表面上還設有第四接合電極,該第三接合電極和該第四接合電極相互絕緣,該第二基底的第二表面上還設有第五接合電極,該第二基底中還貫穿設有第二接觸孔,該有機發光二極管的第二電極與該第五接合電極電性連接,該第五接合電極通過該第二接觸孔與該第四接合電極電性連接;該陣列元件基板和該有機發光二極管基板相對接合在一起時,該第二接合電極與該第四接合電極接觸連接。
8.根據權利要求7所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,該第三接合電極的數量為多個且呈矩陣分布,每個子像素區域內具有一個該第三接合電極,每個子像素區域內的該第三接合電極與位于該子像素區域內的有機發光二極管的第一電極電性連接。
9.根據權利要求8所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,該第四接合電極分布在該第三接合電極之間的空隙處,該第四接合電極呈離散分布或者連成網格狀,該第五接合電極分布在該第一電極之間的空隙處,該第五接合電極呈離散分布或者連成網格狀。
10.根據權利要求8所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,該第四接合電極僅分布在該有機發光二極管基板的外圍邊緣區域,該第四接合電極呈離散分布或者連成“口”字形;該第五接合電極僅分布在該有機發光二極管基板的外圍邊緣區域,該第五接合電極呈離散分布或者連成“口”字形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





