[發(fā)明專利]半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610861342.1 | 申請日： | 2016-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN107887375B | 公開（公告）日： | 2021-11-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王志銘;王禮賜;唐天浩 | 申請（專利權(quán)）人： | 聯(lián)華電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺灣*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 靜電 放電 保護(hù) 元件 | ||
1.一種半導(dǎo)體靜電放電(electrostatic discharge，ESD)保護(hù)元件，包含有：
基底，該基底包含有第一導(dǎo)電型態(tài)；
第一隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基底內(nèi)；
柵極，設(shè)置于該基底上，且該柵極覆蓋部分該第一隔離結(jié)構(gòu)；
源極區(qū)域，設(shè)置于該柵極的第一側(cè)的該基底內(nèi)，該源極區(qū)域包含第二導(dǎo)電型態(tài)，且該第二導(dǎo)電型態(tài)與該第一導(dǎo)電型態(tài)互補(bǔ)(complementary)；
漏極區(qū)域，設(shè)置于該柵極的第二側(cè)的該基底內(nèi)，且該第一側(cè)與該第二側(cè)為該柵極的相對兩側(cè)，該漏極區(qū)域包含有該第一導(dǎo)電型態(tài)；以及
第一摻雜區(qū)，設(shè)置該源極區(qū)域內(nèi)，且該第一摻雜區(qū)包含有該第一導(dǎo)電型態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件，其中該漏極區(qū)域的一摻雜濃度與該第一摻雜區(qū)的一摻雜濃度相同。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件，還包含第一阱區(qū)，形成于該基底內(nèi)，且該第一阱區(qū)包含該第一導(dǎo)電型態(tài)。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件，其中該源極區(qū)域與該第一摻雜區(qū)形成于該第一阱區(qū)內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件，還包含第二阱區(qū)，形成于該基底內(nèi)，且該第二阱區(qū)包含該第二導(dǎo)電型態(tài)。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件，其中該漏極區(qū)域形成于該第二阱區(qū)內(nèi)，且通過該第二阱區(qū)而與該第一隔離結(jié)構(gòu)分離。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件，還包含第二隔離結(jié)構(gòu)，形成于該基底內(nèi)，該漏極區(qū)域形成于該第一隔離結(jié)構(gòu)與該第二隔離結(jié)構(gòu)之間，且該漏極區(qū)域通過該第二阱區(qū)而與該第一隔離結(jié)構(gòu)與該第二隔離結(jié)構(gòu)分離。
8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件，還包含第二摻雜區(qū)域，形成于該第二阱區(qū)內(nèi)，且該第二摻雜區(qū)域包含該第一導(dǎo)電型態(tài)。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件，其中該第二摻雜區(qū)域的一摻雜濃度小于該漏極區(qū)域的一摻雜濃度。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件，其中該漏極區(qū)域通過該第二摻雜區(qū)而與該第二阱區(qū)分離。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件，還包含第二隔離結(jié)構(gòu)，形成于該基底之內(nèi)，該漏極區(qū)域形成于該第一隔離結(jié)構(gòu)與該第二隔離結(jié)構(gòu)之間，且該漏極區(qū)域通過該第二摻雜區(qū)而與該第一隔離結(jié)構(gòu)以及該第二隔離結(jié)構(gòu)分離。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件，還包含深阱區(qū)，形成于該基底內(nèi)，且該深阱區(qū)包含該第二導(dǎo)電型態(tài)。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件，其中該源極區(qū)域、該柵極與該漏極區(qū)域形成于該深阱區(qū)內(nèi)。
14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件，還包含埋藏層，形成于該基底內(nèi)以及該深阱區(qū)下方，且該埋藏層包含有該第二導(dǎo)電型態(tài)。
15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件，其中該柵極包含有第一柵極線(gate line)與第二柵極線。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件，其中該源極區(qū)域形成于該第一柵極線與該第二柵極線之間。
17.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體靜電放電保護(hù)元件，其中該漏極區(qū)域形成于該第一柵極線與該第二柵極線之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
